物理学报
物理學報
물이학보
2002年
3期
645-648
,共4页
GaN%杂质能级%电子结构
GaN%雜質能級%電子結構
GaN%잡질능급%전자결구
用局域密度泛函线性丸盒轨道大型超原胞方法(32个原子),对纯纤锌矿结构的GaN用调节计算参数(如原子球与"空球"的占空比)在自洽条件下使Eg的计算值(3.23eV)接近实验值(3.5eV).然后以原子替代方式自洽计算杂质能级在Eg中的相对位置.模拟计算了六角结构GaN中自然缺陷以及与C和O有关的杂质能级位置,包括其复合物.计算结果表明,单个缺陷如镓空位VGa、氮空位VN、氧代替氮ON、炭代替氮CN、炭代替镓CGa等与已有的计算结果基本一致.计算结果表明杂质复合物会导致单个杂质能级位置的相对变化.计算了CN-ON,CGa-CN,CN-OV和CGa-VGa,其中CN-ON分别具有深受主与浅施主的特征,是导致GaN黄光的一种可能的结构.
用跼域密度汎函線性汍盒軌道大型超原胞方法(32箇原子),對純纖鋅礦結構的GaN用調節計算參數(如原子毬與"空毬"的佔空比)在自洽條件下使Eg的計算值(3.23eV)接近實驗值(3.5eV).然後以原子替代方式自洽計算雜質能級在Eg中的相對位置.模擬計算瞭六角結構GaN中自然缺陷以及與C和O有關的雜質能級位置,包括其複閤物.計算結果錶明,單箇缺陷如鎵空位VGa、氮空位VN、氧代替氮ON、炭代替氮CN、炭代替鎵CGa等與已有的計算結果基本一緻.計算結果錶明雜質複閤物會導緻單箇雜質能級位置的相對變化.計算瞭CN-ON,CGa-CN,CN-OV和CGa-VGa,其中CN-ON分彆具有深受主與淺施主的特徵,是導緻GaN黃光的一種可能的結構.
용국역밀도범함선성환합궤도대형초원포방법(32개원자),대순섬자광결구적GaN용조절계산삼수(여원자구여"공구"적점공비)재자흡조건하사Eg적계산치(3.23eV)접근실험치(3.5eV).연후이원자체대방식자흡계산잡질능급재Eg중적상대위치.모의계산료륙각결구GaN중자연결함이급여C화O유관적잡질능급위치,포괄기복합물.계산결과표명,단개결함여가공위VGa、담공위VN、양대체담ON、탄대체담CN、탄대체가CGa등여이유적계산결과기본일치.계산결과표명잡질복합물회도치단개잡질능급위치적상대변화.계산료CN-ON,CGa-CN,CN-OV화CGa-VGa,기중CN-ON분별구유심수주여천시주적특정,시도치GaN황광적일충가능적결구.
