东南大学学报（自然科学版）
東南大學學報（自然科學版）
동남대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF SOUTHEAST UNIVERSITY
2005年
4期
510-513
,共4页
雷恺%冯军%黄璐%王志功
雷愷%馮軍%黃璐%王誌功
뢰개%풍군%황로%왕지공
激光驱动器%CMOS%直接耦合
激光驅動器%CMOS%直接耦閤
격광구동기%CMOS%직접우합
为了得到低电压、低功耗、高速率的激光驱动器电路,采用0.18 μm CMOS工艺设计了10 Gbit/s的激光驱动器集成芯片.电路的核心单元为两级直接耦合的差分放大器和电流输出电路.为扩展带宽、降低功耗,电路中采用了并联峰化技术和放大级直接耦合技术,整个芯片面积为0.94 mm×1.25 mm.经测试,该芯片在1.7 V电源电压时,最高可工作在11 Gbit/s的速率上;当输入10 Gbit/s、单端峰峰值为0.3 V的信号时,在50 Ω负载上的输出电压摆幅超过1.7 V,电路功耗约为77.4 mW.进一步优化后,该电路可适用于STM-64系统.
為瞭得到低電壓、低功耗、高速率的激光驅動器電路,採用0.18 μm CMOS工藝設計瞭10 Gbit/s的激光驅動器集成芯片.電路的覈心單元為兩級直接耦閤的差分放大器和電流輸齣電路.為擴展帶寬、降低功耗,電路中採用瞭併聯峰化技術和放大級直接耦閤技術,整箇芯片麵積為0.94 mm×1.25 mm.經測試,該芯片在1.7 V電源電壓時,最高可工作在11 Gbit/s的速率上;噹輸入10 Gbit/s、單耑峰峰值為0.3 V的信號時,在50 Ω負載上的輸齣電壓襬幅超過1.7 V,電路功耗約為77.4 mW.進一步優化後,該電路可適用于STM-64繫統.
위료득도저전압、저공모、고속솔적격광구동기전로,채용0.18 μm CMOS공예설계료10 Gbit/s적격광구동기집성심편.전로적핵심단원위량급직접우합적차분방대기화전류수출전로.위확전대관、강저공모,전로중채용료병련봉화기술화방대급직접우합기술,정개심편면적위0.94 mm×1.25 mm.경측시,해심편재1.7 V전원전압시,최고가공작재11 Gbit/s적속솔상;당수입10 Gbit/s、단단봉봉치위0.3 V적신호시,재50 Ω부재상적수출전압파폭초과1.7 V,전로공모약위77.4 mW.진일보우화후,해전로가괄용우STM-64계통.
