CAJ | 학술논문

本文研究了利用金属有机物化学汽相淀积系统(MOCVD)生长高质量不同Al组分AlxGa1-xN薄膜(0.13＜x＜0.8).扫面电子显微镜(SEM)照片表明生长的AlN插入层有效地调节了AlGaN层与GaN支撑层的应力,使AlGaN表面平整无裂纹,原子力显微镜(AFM)测量得到所有AlGaN薄膜粗糙度均小于1 nm.通过原位干涉谱发现,AlGaN薄膜生长速率主要由Ga流量大小控制,随Al组分升高逐渐降低.利用X射线衍射和卢瑟福背散射(RBS)两种方法确定AlGaN薄膜的Al组分,发现Al组分与摩尔比TMAl/(TMGa+TMAl)关系为线性,说明在优化的生长条件下,Al原子与NH3的寄生反应得到了有效的抑制.
본문연구료이용금속유궤물화학기상정적계통(MOCVD)생장고질량불동Al조분AlxGa1-xN박막(0.13＜x＜0.8).소면전자현미경(SEM)조편표명생장적AlN삽입층유효지조절료AlGaN층여GaN지탱층적응력,사AlGaN표면평정무렬문,원자력현미경(AFM)측량득도소유AlGaN박막조조도균소우1 nm.통과원위간섭보발현,AlGaN박막생장속솔주요유Ga류량대소공제,수Al조분승고축점강저.이용X사선연사화로슬복배산사(RBS)량충방법학정AlGaN박막적Al조분,발현Al조분여마이비TMAl/(TMGa+TMAl)관계위선성,설명재우화적생장조건하,Al원자여NH3적기생반응득도료유효적억제.