人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2008年
2期
461-465
,共5页
直流磁控溅射%ZnO薄膜%晶粒%晶粒间界
直流磁控濺射%ZnO薄膜%晶粒%晶粒間界
직류자공천사%ZnO박막%정립%정립간계
采用直流磁控溅射法在P型<100>晶向单晶硅衬底上室温制备ZnO薄膜,对室温制备的ZnO薄膜分别在500℃、600℃、700℃进行高温退火,通过采用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱和场发射扫描电子显微镜(SEM)、HP4145B型半导体参数测试仪分析不同退火温度对室温生长ZnO薄膜微结构、表面形貌和,Ⅰ-Ⅴ特性影响.实验结果表明,室温生长的ZnO薄膜为非晶态,随退火温度增加,ZnO薄膜出现(002)、(100)、(101)晶面衍射峰且逐渐增强,晶粒大小相对增加,在700℃退火后,呈高度c轴择优取向,晶粒间界明显,拉曼光谱E2模增强.
採用直流磁控濺射法在P型<100>晶嚮單晶硅襯底上室溫製備ZnO薄膜,對室溫製備的ZnO薄膜分彆在500℃、600℃、700℃進行高溫退火,通過採用X射線衍射(XRD)、拉曼光譜和場髮射掃描電子顯微鏡(SEM)、HP4145B型半導體參數測試儀分析不同退火溫度對室溫生長ZnO薄膜微結構、錶麵形貌和,Ⅰ-Ⅴ特性影響.實驗結果錶明,室溫生長的ZnO薄膜為非晶態,隨退火溫度增加,ZnO薄膜齣現(002)、(100)、(101)晶麵衍射峰且逐漸增彊,晶粒大小相對增加,在700℃退火後,呈高度c軸擇優取嚮,晶粒間界明顯,拉曼光譜E2模增彊.
채용직류자공천사법재P형<100>정향단정규츤저상실온제비ZnO박막,대실온제비적ZnO박막분별재500℃、600℃、700℃진행고온퇴화,통과채용X사선연사(XRD)、랍만광보화장발사소묘전자현미경(SEM)、HP4145B형반도체삼수측시의분석불동퇴화온도대실온생장ZnO박막미결구、표면형모화,Ⅰ-Ⅴ특성영향.실험결과표명,실온생장적ZnO박막위비정태,수퇴화온도증가,ZnO박막출현(002)、(100)、(101)정면연사봉차축점증강,정립대소상대증가,재700℃퇴화후,정고도c축택우취향,정립간계명현,랍만광보E2모증강.
