真空科学与技术学报
真空科學與技術學報
진공과학여기술학보
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY
2008年
6期
539-546
,共8页
赵伟%侯清润%陈宜保%何元金
趙偉%侯清潤%陳宜保%何元金
조위%후청윤%진의보%하원금
MnSi1.7半导体薄膜%温差发电%综述%红外探测器%掺杂%纳米尺寸
MnSi1.7半導體薄膜%溫差髮電%綜述%紅外探測器%摻雜%納米呎吋
MnSi1.7반도체박막%온차발전%종술%홍외탐측기%참잡%납미척촌
本文对近年来MnSi1.7半导体薄膜的制备方法和电学性能进行了综述.与PtSi和Bi1-xSbx薄膜制备的红外探测器相比较,用MnSi1.7半导体薄膜制备的红外探测器有诸多优点.另外,MnSi1.7半导体薄膜还可以用于制造微型温差发电器件.掺杂及制备纳米尺寸的薄膜是改善其电学性能的两个方法.通过对薄膜进行掺杂,可以获得P型和n型薄膜,薄膜的电阻率明显下降;将薄膜厚度减小到14nm后,塞贝克系数在483K时可达-967μV·K-1.
本文對近年來MnSi1.7半導體薄膜的製備方法和電學性能進行瞭綜述.與PtSi和Bi1-xSbx薄膜製備的紅外探測器相比較,用MnSi1.7半導體薄膜製備的紅外探測器有諸多優點.另外,MnSi1.7半導體薄膜還可以用于製造微型溫差髮電器件.摻雜及製備納米呎吋的薄膜是改善其電學性能的兩箇方法.通過對薄膜進行摻雜,可以穫得P型和n型薄膜,薄膜的電阻率明顯下降;將薄膜厚度減小到14nm後,塞貝剋繫數在483K時可達-967μV·K-1.
본문대근년래MnSi1.7반도체박막적제비방법화전학성능진행료종술.여PtSi화Bi1-xSbx박막제비적홍외탐측기상비교,용MnSi1.7반도체박막제비적홍외탐측기유제다우점.령외,MnSi1.7반도체박막환가이용우제조미형온차발전기건.참잡급제비납미척촌적박막시개선기전학성능적량개방법.통과대박막진행참잡,가이획득P형화n형박막,박막적전조솔명현하강;장박막후도감소도14nm후,새패극계수재483K시가체-967μV·K-1.
