真空科学与技术学报
真空科學與技術學報
진공과학여기술학보
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY
2009年
1期
42-45
,共4页
刘衍芳%李亮%刘金锋%刘忠良%徐彭寿%徐法强%潘海斌
劉衍芳%李亮%劉金鋒%劉忠良%徐彭壽%徐法彊%潘海斌
류연방%리량%류금봉%류충량%서팽수%서법강%반해빈
Cu%3C-SiC%界面%肖特基势垒%同步辐射光电子能谱
Cu%3C-SiC%界麵%肖特基勢壘%同步輻射光電子能譜
Cu%3C-SiC%계면%초특기세루%동보복사광전자능보
用同步辐射光电子能谱(SRPES)和X射线光电子能谱(XPS)的方法研究了室温下Cu/3C-SiC (111) 界面的形成.在超高真空下,Cu慢慢沉积到2ML.Cu2p3/2用XPS测得,结合能从沉积0.08ML时的933.1eV移动到沉积2ML的932.8eV,Si2p用同步辐射光测得,峰位从未沉积时的43.55eV移动到沉积2ML的43.87eV,峰形状未发生变化,表明Cu与衬底之间没有发生化学反应,薄膜的生长开始为二维生长,超过0.1ML时变为三维生长,SiC的表面有表面态存在,当沉积少量的Cu时,表面态消失.随着Cu的沉积价带(VB)发生弯曲,肖特基势垒高度增加,在沉积2ML Cu时肖特基势垒变为1.2eV.
用同步輻射光電子能譜(SRPES)和X射線光電子能譜(XPS)的方法研究瞭室溫下Cu/3C-SiC (111) 界麵的形成.在超高真空下,Cu慢慢沉積到2ML.Cu2p3/2用XPS測得,結閤能從沉積0.08ML時的933.1eV移動到沉積2ML的932.8eV,Si2p用同步輻射光測得,峰位從未沉積時的43.55eV移動到沉積2ML的43.87eV,峰形狀未髮生變化,錶明Cu與襯底之間沒有髮生化學反應,薄膜的生長開始為二維生長,超過0.1ML時變為三維生長,SiC的錶麵有錶麵態存在,噹沉積少量的Cu時,錶麵態消失.隨著Cu的沉積價帶(VB)髮生彎麯,肖特基勢壘高度增加,在沉積2ML Cu時肖特基勢壘變為1.2eV.
용동보복사광전자능보(SRPES)화X사선광전자능보(XPS)적방법연구료실온하Cu/3C-SiC (111) 계면적형성.재초고진공하,Cu만만침적도2ML.Cu2p3/2용XPS측득,결합능종침적0.08ML시적933.1eV이동도침적2ML적932.8eV,Si2p용동보복사광측득,봉위종미침적시적43.55eV이동도침적2ML적43.87eV,봉형상미발생변화,표명Cu여츤저지간몰유발생화학반응,박막적생장개시위이유생장,초과0.1ML시변위삼유생장,SiC적표면유표면태존재,당침적소량적Cu시,표면태소실.수착Cu적침적개대(VB)발생만곡,초특기세루고도증가,재침적2ML Cu시초특기세루변위1.2eV.
