电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2002年
2期
28-29
,共2页
CMOS/SOI材料%抗辐射%加固
CMOS/SOI材料%抗輻射%加固
CMOS/SOI재료%항복사%가고
向SIMOX材料的SiO2埋层或Si/SiO2界面注入170 keV F+,进而制成CMOS/SOI材料,采用60Co ( 辐射器辐照并测量材料的I-V特性.结果表明:向CMOS/SOI材料埋层注入F+离子,能提高CMOS/SOI材料的抗电离辐照性能.而且,注入F+的剂量为1(1015cm-2时,材料的抗辐照能力较强.这对制作应用于电离辐射环境的COMS/SOI器件极其有益.
嚮SIMOX材料的SiO2埋層或Si/SiO2界麵註入170 keV F+,進而製成CMOS/SOI材料,採用60Co ( 輻射器輻照併測量材料的I-V特性.結果錶明:嚮CMOS/SOI材料埋層註入F+離子,能提高CMOS/SOI材料的抗電離輻照性能.而且,註入F+的劑量為1(1015cm-2時,材料的抗輻照能力較彊.這對製作應用于電離輻射環境的COMS/SOI器件極其有益.
향SIMOX재료적SiO2매층혹Si/SiO2계면주입170 keV F+,진이제성CMOS/SOI재료,채용60Co ( 복사기복조병측량재료적I-V특성.결과표명:향CMOS/SOI재료매층주입F+리자,능제고CMOS/SOI재료적항전리복조성능.이차,주입F+적제량위1(1015cm-2시,재료적항복조능력교강.저대제작응용우전리복사배경적COMS/SOI기건겁기유익.
