Ni金属诱导多晶硅薄膜的低温制备与性能研究
Ni금속유도다정규박막적저온제비여성능연구
The Preparation and Properties of Ni-MIC Poly-crystalline Si Films at Low Temperatures
  • 万方数据
    吉林大学自然科学学报 길림대학자연과학학보
    ACTA SCIENTIARUM NATURALIUM UNIVERSITATIS JILINENSIS
    2000年 3期 45-48 ,共4页

    刘传珍%杨伯梁%李牧菊%吴渊%张玉%廖燕平%王大海%黄锡珉%邱法斌

    류전진%양백량%리목국%오연%장옥%료연평%왕대해%황석민%구법빈

    Ni金属诱导晶化%多晶硅薄膜%低温制备%退火处理 Ni金屬誘導晶化%多晶硅薄膜%低溫製備%退火處理
    Ni금속유도정화%다정규박막%저온제비%퇴화처리
    利用Ni金属诱导晶化(Metal Induced Crystallization, MIC)的方法制备p-Si薄膜. XRD, Raman光谱研究结果表明, a-Si/Ni经440 ℃ 2 h以上退火处理后, 形成多晶相结构. 用SEM, XPS等分析手段对薄膜的结构进行分析, 并对金属Ni诱导晶化的机理进行简要的探讨.
    이용Ni금속유도정화(Metal Induced Crystallization, MIC)적방법제비p-Si박막. XRD, Raman광보연구결과표명, a-Si/Ni경440 ℃ 2 h이상퇴화처리후, 형성다정상결구. 용SEM, XPS등분석수단대박막적결구진행분석, 병대금속Ni유도정화적궤리진행간요적탐토.
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