仪表技术与传感器
儀錶技術與傳感器
의표기술여전감기
INSTRUMENT TECHNIQUE AND SENSOR
2003年
6期
10-11
,共2页
强磁体磁阻薄膜%真空蒸镀%热处理温度结晶化处理
彊磁體磁阻薄膜%真空蒸鍍%熱處理溫度結晶化處理
강자체자조박막%진공증도%열처리온도결정화처리
强磁体薄膜是制造强磁体磁阻器件的基础,也是制造强磁体磁阻器件的最关键的一道工艺,对于制备低功耗的强磁体磁阻器件,要求薄膜厚度很薄,约40nm,这对薄膜的制备工艺提出了更高的要求.本文主要论述了用真空蒸镀的方法制取低功耗强磁体磁阻器件用的强磁体薄膜的理论基础,并在所用材料、蒸镀方法、材料的配比、蒸发基底温度、热处理温度、膜层厚度等对薄膜的磁各向异性(△ρ/ρ0)的影响进行了详细阐述.
彊磁體薄膜是製造彊磁體磁阻器件的基礎,也是製造彊磁體磁阻器件的最關鍵的一道工藝,對于製備低功耗的彊磁體磁阻器件,要求薄膜厚度很薄,約40nm,這對薄膜的製備工藝提齣瞭更高的要求.本文主要論述瞭用真空蒸鍍的方法製取低功耗彊磁體磁阻器件用的彊磁體薄膜的理論基礎,併在所用材料、蒸鍍方法、材料的配比、蒸髮基底溫度、熱處理溫度、膜層厚度等對薄膜的磁各嚮異性(△ρ/ρ0)的影響進行瞭詳細闡述.
강자체박막시제조강자체자조기건적기출,야시제조강자체자조기건적최관건적일도공예,대우제비저공모적강자체자조기건,요구박막후도흔박,약40nm,저대박막적제비공예제출료경고적요구.본문주요논술료용진공증도적방법제취저공모강자체자조기건용적강자체박막적이론기출,병재소용재료、증도방법、재료적배비、증발기저온도、열처리온도、막층후도등대박막적자각향이성(△ρ/ρ0)적영향진행료상세천술.
