半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2005年
1期
57-61
,共5页
刘文超%夏冠群%李冰寒%黄文奎%刘延祥
劉文超%夏冠群%李冰寒%黃文奎%劉延祥
류문초%하관군%리빙한%황문규%류연상
Mo/W/Ti/Au%GaAs%欧姆接触%钝化
Mo/W/Ti/Au%GaAs%歐姆接觸%鈍化
Mo/W/Ti/Au%GaAs%구모접촉%둔화
用磁控溅射系统和快速合金化法制备了Mo/W/Ti/Au多层金属和n-GaAs材料的欧姆接触,在溅射金属层之前分别用HCl溶液和(NH4)2S溶液对n-GaAs材料的表面进行处理.用传输线法对比接触电阻进行了测试,并利用俄歇电子能谱(AES)、X射线衍射图谱(XRD)对接触的微观结构进行了分析.结果表明,用(NH4)2S溶液对n-GaAs材料表面进行处理后,比接触电阻最小;在700℃快速合金化后获得最低的比接触电阻,约为4.5×10-6Ω·cm2.这是由于(NH4)2S溶液钝化处理后降低了GaAs的表面态密度,消除了费米能级钉扎效应,从而改善了难熔金属与GaAs的接触特性.
用磁控濺射繫統和快速閤金化法製備瞭Mo/W/Ti/Au多層金屬和n-GaAs材料的歐姆接觸,在濺射金屬層之前分彆用HCl溶液和(NH4)2S溶液對n-GaAs材料的錶麵進行處理.用傳輸線法對比接觸電阻進行瞭測試,併利用俄歇電子能譜(AES)、X射線衍射圖譜(XRD)對接觸的微觀結構進行瞭分析.結果錶明,用(NH4)2S溶液對n-GaAs材料錶麵進行處理後,比接觸電阻最小;在700℃快速閤金化後穫得最低的比接觸電阻,約為4.5×10-6Ω·cm2.這是由于(NH4)2S溶液鈍化處理後降低瞭GaAs的錶麵態密度,消除瞭費米能級釘扎效應,從而改善瞭難鎔金屬與GaAs的接觸特性.
용자공천사계통화쾌속합금화법제비료Mo/W/Ti/Au다층금속화n-GaAs재료적구모접촉,재천사금속층지전분별용HCl용액화(NH4)2S용액대n-GaAs재료적표면진행처리.용전수선법대비접촉전조진행료측시,병이용아헐전자능보(AES)、X사선연사도보(XRD)대접촉적미관결구진행료분석.결과표명,용(NH4)2S용액대n-GaAs재료표면진행처리후,비접촉전조최소;재700℃쾌속합금화후획득최저적비접촉전조,약위4.5×10-6Ω·cm2.저시유우(NH4)2S용액둔화처리후강저료GaAs적표면태밀도,소제료비미능급정찰효응,종이개선료난용금속여GaAs적접촉특성.
