电化学
電化學
전화학
2006年
3期
338-340
,共3页
taC:N电极%欧姆接触%循环伏安法
taC:N電極%歐姆接觸%循環伏安法
taC:N전겁%구모접촉%순배복안법
taC:N膜是一种具有潜力的半导体电极材料,但该电极制作中存在基底硅片与导线间的欧姆接触问题.根据高温处理对taC:N膜性质的影响,本文先在硅片上制作欧姆接触,再沉积taC:N膜,并由此得到了一批具有不同含氮量的taC:N电极.循环伏安测试表明,膜中氮含量的增加只使阴极背景极限正移,而对阳极背景极限几乎没有影响,电化学窗口也因此而变窄.
taC:N膜是一種具有潛力的半導體電極材料,但該電極製作中存在基底硅片與導線間的歐姆接觸問題.根據高溫處理對taC:N膜性質的影響,本文先在硅片上製作歐姆接觸,再沉積taC:N膜,併由此得到瞭一批具有不同含氮量的taC:N電極.循環伏安測試錶明,膜中氮含量的增加隻使陰極揹景極限正移,而對暘極揹景極限幾乎沒有影響,電化學窗口也因此而變窄.
taC:N막시일충구유잠력적반도체전겁재료,단해전겁제작중존재기저규편여도선간적구모접촉문제.근거고온처리대taC:N막성질적영향,본문선재규편상제작구모접촉,재침적taC:N막,병유차득도료일비구유불동함담량적taC:N전겁.순배복안측시표명,막중담함량적증가지사음겁배경겁한정이,이대양겁배경겁한궤호몰유영향,전화학창구야인차이변착.
