太阳能学报
太暘能學報
태양능학보
ACTA ENERGIAE SOLARIS SINICA
2006年
11期
1108-1112
,共5页
郑麒麟%庄大明%张弓%李秋芳
鄭麒麟%莊大明%張弓%李鞦芳
정기린%장대명%장궁%리추방
CIGS%太阳能电池%磁控溅射%前驱膜
CIGS%太暘能電池%磁控濺射%前驅膜
CIGS%태양능전지%자공천사%전구막
采用中频交流磁控溅射方法制备了CuIn、CuGa和CIG合金膜.采用SEM和XRD观察和分析了各种薄膜的表面形貌、成分和组织结构.着重分析了靶功率密度对薄膜成分、晶体结构的影响.结果表明,通过调节靶功率密度,能精确控制薄膜中Cu、In、Ga比例.制备得到了Cu/(In+Ga)原子比接近1,且Ga/(In+Ga)比例可调的成分分布均匀的CIG薄膜.CIG前驱膜是以Cu11In9为基础相,Ga原子主要是以替代In原子的固溶体形式存在.当溅射CuIn和CuGa合金靶的功率密度分别为0.26和0.10W/cm2时,可制备得到由Cu11In9和CuIn两相组成的理想的CIG前驱膜.
採用中頻交流磁控濺射方法製備瞭CuIn、CuGa和CIG閤金膜.採用SEM和XRD觀察和分析瞭各種薄膜的錶麵形貌、成分和組織結構.著重分析瞭靶功率密度對薄膜成分、晶體結構的影響.結果錶明,通過調節靶功率密度,能精確控製薄膜中Cu、In、Ga比例.製備得到瞭Cu/(In+Ga)原子比接近1,且Ga/(In+Ga)比例可調的成分分佈均勻的CIG薄膜.CIG前驅膜是以Cu11In9為基礎相,Ga原子主要是以替代In原子的固溶體形式存在.噹濺射CuIn和CuGa閤金靶的功率密度分彆為0.26和0.10W/cm2時,可製備得到由Cu11In9和CuIn兩相組成的理想的CIG前驅膜.
채용중빈교류자공천사방법제비료CuIn、CuGa화CIG합금막.채용SEM화XRD관찰화분석료각충박막적표면형모、성분화조직결구.착중분석료파공솔밀도대박막성분、정체결구적영향.결과표명,통과조절파공솔밀도,능정학공제박막중Cu、In、Ga비례.제비득도료Cu/(In+Ga)원자비접근1,차Ga/(In+Ga)비례가조적성분분포균균적CIG박막.CIG전구막시이Cu11In9위기출상,Ga원자주요시이체대In원자적고용체형식존재.당천사CuIn화CuGa합금파적공솔밀도분별위0.26화0.10W/cm2시,가제비득도유Cu11In9화CuIn량상조성적이상적CIG전구막.
