中国电子科学研究院学报
中國電子科學研究院學報
중국전자과학연구원학보
JOURNAL OF CHINA ACADEMY OF ELECTRONICS AND INFORMATION TECHNOLOGY
2007年
4期
354-359
,共6页
磷化铟%配比%缺陷
燐化銦%配比%缺陷
린화인%배비%결함
采用原位磷注入合成法在高压单晶炉内分别合成了富铟、近化学配比、富磷的InP熔体,利用液封直拉法(LEC)分别从不同化学计量比条件下的InP熔体中生长InP单晶材料.对材料分别进行了室温Hall,变温Hall的测试.结果表明富磷熔体条件下具有较高浓度的VInH4复合体,富铟熔体条件VInH4的浓度最低.
採用原位燐註入閤成法在高壓單晶爐內分彆閤成瞭富銦、近化學配比、富燐的InP鎔體,利用液封直拉法(LEC)分彆從不同化學計量比條件下的InP鎔體中生長InP單晶材料.對材料分彆進行瞭室溫Hall,變溫Hall的測試.結果錶明富燐鎔體條件下具有較高濃度的VInH4複閤體,富銦鎔體條件VInH4的濃度最低.
채용원위린주입합성법재고압단정로내분별합성료부인、근화학배비、부린적InP용체,이용액봉직랍법(LEC)분별종불동화학계량비조건하적InP용체중생장InP단정재료.대재료분별진행료실온Hall,변온Hall적측시.결과표명부린용체조건하구유교고농도적VInH4복합체,부인용체조건VInH4적농도최저.
