真空科学与技术学报
真空科學與技術學報
진공과학여기술학보
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY
2007年
4期
322-326
,共5页
王科范%刘金峰%邹崇文%张文华%徐彭寿%徐法强
王科範%劉金峰%鄒崇文%張文華%徐彭壽%徐法彊
왕과범%류금봉%추숭문%장문화%서팽수%서법강
硅表面%化学清洗%光电子能谱%同步辐射
硅錶麵%化學清洗%光電子能譜%同步輻射
규표면%화학청세%광전자능보%동보복사
本文介绍了一种温和简洁的硅表面化学清洗方法,它主要包括H2SO4:H2O2溶液清洗和HFC2H5OH刻蚀两个过程.清洗前后的硅表面用原子力显微镜(AFM)、X射线光电子能谱(XPS)和反射高能电子衍射(RHEED)等技术进行表征.结果表明,运用此方法能得到平整清洁的Si表面.为了延缓H-Si表面在空气中被氧化的速率和防止杂质污染,我们提出用无水乙醇(C2H5OH)来保护H-Si表面.300℃除气前后XPS的对比结果表明,清洗后的Si表面不存在B,但吸附少量F,以及化学吸附和物理吸附都存在的C和O.根据Si2p芯能级的同步辐射光电子能谱(SRPES),可以确定Si氧化物薄膜的厚度只有一个单层,经1000℃退火25min后,XPS和SRPES的结果表明Si表面已经非常清洁,并且出现了两个Si的表面态.
本文介紹瞭一種溫和簡潔的硅錶麵化學清洗方法,它主要包括H2SO4:H2O2溶液清洗和HFC2H5OH刻蝕兩箇過程.清洗前後的硅錶麵用原子力顯微鏡(AFM)、X射線光電子能譜(XPS)和反射高能電子衍射(RHEED)等技術進行錶徵.結果錶明,運用此方法能得到平整清潔的Si錶麵.為瞭延緩H-Si錶麵在空氣中被氧化的速率和防止雜質汙染,我們提齣用無水乙醇(C2H5OH)來保護H-Si錶麵.300℃除氣前後XPS的對比結果錶明,清洗後的Si錶麵不存在B,但吸附少量F,以及化學吸附和物理吸附都存在的C和O.根據Si2p芯能級的同步輻射光電子能譜(SRPES),可以確定Si氧化物薄膜的厚度隻有一箇單層,經1000℃退火25min後,XPS和SRPES的結果錶明Si錶麵已經非常清潔,併且齣現瞭兩箇Si的錶麵態.
본문개소료일충온화간길적규표면화학청세방법,타주요포괄H2SO4:H2O2용액청세화HFC2H5OH각식량개과정.청세전후적규표면용원자력현미경(AFM)、X사선광전자능보(XPS)화반사고능전자연사(RHEED)등기술진행표정.결과표명,운용차방법능득도평정청길적Si표면.위료연완H-Si표면재공기중피양화적속솔화방지잡질오염,아문제출용무수을순(C2H5OH)래보호H-Si표면.300℃제기전후XPS적대비결과표명,청세후적Si표면불존재B,단흡부소량F,이급화학흡부화물리흡부도존재적C화O.근거Si2p심능급적동보복사광전자능보(SRPES),가이학정Si양화물박막적후도지유일개단층,경1000℃퇴화25min후,XPS화SRPES적결과표명Si표면이경비상청길,병차출현료량개Si적표면태.
