高斜率效率隧道结叠层激光器的研制
고사솔효솔수도결첩층격광기적연제
Development of a High Slope Efficiency Tunnel Junction Stacks Laser
  • 万方数据
    微纳电子技术 미납전자기술
    MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
    2008年 5期 260-263 ,共4页

    陈宏泰%张世祖%杨红伟%林琳%王晓燕%花吉珍%刘英斌%安振峰

    진굉태%장세조%양홍위%림림%왕효연%화길진%류영빈%안진봉

    半导体激光器%隧道结%高斜率效率%双叠层%三叠层 半導體激光器%隧道結%高斜率效率%雙疊層%三疊層
    반도체격광기%수도결%고사솔효솔%쌍첩층%삼첩층
    隧道结叠层激光器技术具有广泛的应用空间,如高斜率效率、高功率密度、多波长激光器等.采用LP-MOCVD系统生长隧道结材料,CCl4作为P型掺杂源,SiH4作为n型掺杂源,并采用δ掺杂技术,使得n+-GaAs的掺杂浓度大于1×1019/cm3,隧道结的面电阻率小于2×10-4Ω·cm2.设计生长了双叠层、三叠层材料,该材料制作的900 nm双叠层激光器在200 ns脉宽、20 A工作电流下输出功率35 w,斜率效率1.8 W/A,是单层材料的1.8倍,隧穿结引入的压降约为0.15 V;860 nm三叠层激光器的斜率效率大于2.7 W/A,是单层材料的2.7倍.
    수도결첩층격광기기술구유엄범적응용공간,여고사솔효솔、고공솔밀도、다파장격광기등.채용LP-MOCVD계통생장수도결재료,CCl4작위P형참잡원,SiH4작위n형참잡원,병채용δ참잡기술,사득n+-GaAs적참잡농도대우1×1019/cm3,수도결적면전조솔소우2×10-4Ω·cm2.설계생장료쌍첩층、삼첩층재료,해재료제작적900 nm쌍첩층격광기재200 ns맥관、20 A공작전류하수출공솔35 w,사솔효솔1.8 W/A,시단층재료적1.8배,수천결인입적압강약위0.15 V;860 nm삼첩층격광기적사솔효솔대우2.7 W/A,시단층재료적2.7배.
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