无机材料学报
無機材料學報
무궤재료학보
JOURNAL OF INORGANIC MATERIALS
2008年
5期
865-871
,共7页
武德起%赵红生%姚金城%张东炎%常爱民
武德起%趙紅生%姚金城%張東炎%常愛民
무덕기%조홍생%요금성%장동염%상애민
高介电栅介质%晶化温度%低介电界面层%金属栅电极
高介電柵介質%晶化溫度%低介電界麵層%金屬柵電極
고개전책개질%정화온도%저개전계면층%금속책전겁
传统的栅介质材料SiO2不能满足CMOS晶体管尺度进一步缩小的要求,因此高介电栅介质材料在近几年得到了广泛的研究,进展迅速,本文综述了国内外对高介电材料的研究成果,并结合作者的工作介绍了高介电栅介质在晶化温度、低介电界面层、介电击穿和金属栅电极等方面的最新研究进展.
傳統的柵介質材料SiO2不能滿足CMOS晶體管呎度進一步縮小的要求,因此高介電柵介質材料在近幾年得到瞭廣汎的研究,進展迅速,本文綜述瞭國內外對高介電材料的研究成果,併結閤作者的工作介紹瞭高介電柵介質在晶化溫度、低介電界麵層、介電擊穿和金屬柵電極等方麵的最新研究進展.
전통적책개질재료SiO2불능만족CMOS정체관척도진일보축소적요구,인차고개전책개질재료재근궤년득도료엄범적연구,진전신속,본문종술료국내외대고개전재료적연구성과,병결합작자적공작개소료고개전책개질재정화온도、저개전계면층、개전격천화금속책전겁등방면적최신연구진전.
