发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2010年
2期
199-203
,共5页
林兰%叶志镇%龚丽%别勋%吕建国%赵炳辉
林蘭%葉誌鎮%龔麗%彆勛%呂建國%趙炳輝
림란%협지진%공려%별훈%려건국%조병휘
射频反应磁控溅射%Na-N共掺%p型ZnO薄膜%退火
射頻反應磁控濺射%Na-N共摻%p型ZnO薄膜%退火
사빈반응자공천사%Na-N공참%p형ZnO박막%퇴화
采用射频反应磁控溅射法退火生长得到了Na-N共掺杂p-ZnO薄膜.XRD测试结果表明,退火前后均得到c轴择优取向的ZnO薄膜.Hall测试结果表明:退火后薄膜的电学性能明显改善,得到了p-ZnO薄膜,退火温度为450 ℃时取得最佳电学性能:室温电阻率为139.2 Ω·cm,迁移率为0.2 cm2·V-1·s-1,空穴浓度为2.5×1017 cm-3.XPS分析表明:Na掺入ZnO中作为受主NaZn而存在,N主要以N-H键的形式存在,其受主NO的作用不明显,但是否存在NaZn-NO受主复合体,还需进一步的研究.
採用射頻反應磁控濺射法退火生長得到瞭Na-N共摻雜p-ZnO薄膜.XRD測試結果錶明,退火前後均得到c軸擇優取嚮的ZnO薄膜.Hall測試結果錶明:退火後薄膜的電學性能明顯改善,得到瞭p-ZnO薄膜,退火溫度為450 ℃時取得最佳電學性能:室溫電阻率為139.2 Ω·cm,遷移率為0.2 cm2·V-1·s-1,空穴濃度為2.5×1017 cm-3.XPS分析錶明:Na摻入ZnO中作為受主NaZn而存在,N主要以N-H鍵的形式存在,其受主NO的作用不明顯,但是否存在NaZn-NO受主複閤體,還需進一步的研究.
채용사빈반응자공천사법퇴화생장득도료Na-N공참잡p-ZnO박막.XRD측시결과표명,퇴화전후균득도c축택우취향적ZnO박막.Hall측시결과표명:퇴화후박막적전학성능명현개선,득도료p-ZnO박막,퇴화온도위450 ℃시취득최가전학성능:실온전조솔위139.2 Ω·cm,천이솔위0.2 cm2·V-1·s-1,공혈농도위2.5×1017 cm-3.XPS분석표명:Na참입ZnO중작위수주NaZn이존재,N주요이N-H건적형식존재,기수주NO적작용불명현,단시부존재NaZn-NO수주복합체,환수진일보적연구.
