半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2004年
1期
38-42
,共5页
肖洁%施毅%熊诗杰%张荣%郑有炓
肖潔%施毅%熊詩傑%張榮%鄭有炓
초길%시의%웅시걸%장영%정유료
量子比特%隧穿时间%量子点
量子比特%隧穿時間%量子點
양자비특%수천시간%양자점
介绍了以Si/SiO2系统构成的量子异或门的工作原理,研究了耦合不对称双量子点所构成的量子比特的电子隧穿特性.研究结果表明,通过栅压可很好地实现控制电子在两个量子点间共振隧穿,其隧穿时间随势垒厚度和量子点尺寸结构参数发生显著的变化.目前模拟的特征变化曲线表明,可获得实验上理想的隧穿时间(工作频率)和相应的栅压(工作电压).
介紹瞭以Si/SiO2繫統構成的量子異或門的工作原理,研究瞭耦閤不對稱雙量子點所構成的量子比特的電子隧穿特性.研究結果錶明,通過柵壓可很好地實現控製電子在兩箇量子點間共振隧穿,其隧穿時間隨勢壘厚度和量子點呎吋結構參數髮生顯著的變化.目前模擬的特徵變化麯線錶明,可穫得實驗上理想的隧穿時間(工作頻率)和相應的柵壓(工作電壓).
개소료이Si/SiO2계통구성적양자이혹문적공작원리,연구료우합불대칭쌍양자점소구성적양자비특적전자수천특성.연구결과표명,통과책압가흔호지실현공제전자재량개양자점간공진수천,기수천시간수세루후도화양자점척촌결구삼수발생현저적변화.목전모의적특정변화곡선표명,가획득실험상이상적수천시간(공작빈솔)화상응적책압(공작전압).
