高等学校化学学报
高等學校化學學報
고등학교화학학보
CHEMICAL JOURNAL OF CHINESE UNIVERSITIES
2006年
4期
704-707
,共4页
戴洁%菅文平%庄家骐%杨文胜
戴潔%菅文平%莊傢騏%楊文勝
대길%관문평%장가기%양문성
纳米晶%掺杂型半导体%合金型半导体%发光
納米晶%摻雜型半導體%閤金型半導體%髮光
납미정%참잡형반도체%합금형반도체%발광
以巯基丙酸(MPA)为稳定剂,利用共沉淀法制备了水溶性的Ag掺杂的ZnxCd1-xS合金型纳米晶.Ag掺杂后ZnxCd1-xS纳米晶产生新的发射峰,并且发光效率得到了有效提高.通过改变纳米粒子中Zn/Cd比例可有效地调控ZnxCd1-xS :Ag纳米晶的吸收带隙宽度,同时可以在425~603 nm之间实现对ZnxCd1-xS :Ag纳米晶发射峰位的连续调控.
以巰基丙痠(MPA)為穩定劑,利用共沉澱法製備瞭水溶性的Ag摻雜的ZnxCd1-xS閤金型納米晶.Ag摻雜後ZnxCd1-xS納米晶產生新的髮射峰,併且髮光效率得到瞭有效提高.通過改變納米粒子中Zn/Cd比例可有效地調控ZnxCd1-xS :Ag納米晶的吸收帶隙寬度,同時可以在425~603 nm之間實現對ZnxCd1-xS :Ag納米晶髮射峰位的連續調控.
이구기병산(MPA)위은정제,이용공침정법제비료수용성적Ag참잡적ZnxCd1-xS합금형납미정.Ag참잡후ZnxCd1-xS납미정산생신적발사봉,병차발광효솔득도료유효제고.통과개변납미입자중Zn/Cd비례가유효지조공ZnxCd1-xS :Ag납미정적흡수대극관도,동시가이재425~603 nm지간실현대ZnxCd1-xS :Ag납미정발사봉위적련속조공.