稀有金属材料与工程
稀有金屬材料與工程
희유금속재료여공정
RARE METAL MATERIALS AND ENGINEERNG
2006年
7期
1021-1024
,共4页
张维佳%王天民%崔敏%金飞%丁照崇%阎兰琴
張維佳%王天民%崔敏%金飛%丁照崇%閻蘭琴
장유가%왕천민%최민%금비%정조숭%염란금
ITO%溅射靶%烧结剂%掺杂
ITO%濺射靶%燒結劑%摻雜
ITO%천사파%소결제%참잡
采用化学共沉淀法掺金属Nb,Ta和P到ITO材料中可使ITO(Indium Tin Oxide)靶相对密度达到97%～99%,并且靶电阻率小于3.0×10-4Ω·cm,其质量损失率小于4.0%.采用直接掺杂法将TiO2纳米粉末掺入到纳米ITO粉末中可使ITO靶相对密度达到95%以上.当烧结温度为1500℃时,掺Nb,Ta,P的ITO靶电阻率稍小于纯ITO靶的电阻率.
採用化學共沉澱法摻金屬Nb,Ta和P到ITO材料中可使ITO(Indium Tin Oxide)靶相對密度達到97%～99%,併且靶電阻率小于3.0×10-4Ω·cm,其質量損失率小于4.0%.採用直接摻雜法將TiO2納米粉末摻入到納米ITO粉末中可使ITO靶相對密度達到95%以上.噹燒結溫度為1500℃時,摻Nb,Ta,P的ITO靶電阻率稍小于純ITO靶的電阻率.
채용화학공침정법참금속Nb,Ta화P도ITO재료중가사ITO(Indium Tin Oxide)파상대밀도체도97%～99%,병차파전조솔소우3.0×10-4Ω·cm,기질량손실솔소우4.0%.채용직접참잡법장TiO2납미분말참입도납미ITO분말중가사ITO파상대밀도체도95%이상.당소결온도위1500℃시,참Nb,Ta,P적ITO파전조솔초소우순ITO파적전조솔.
