半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2006年
12期
944-947
,共4页
侯军燕%戴慧莹%施卫%董秋霞
侯軍燕%戴慧瑩%施衛%董鞦霞
후군연%대혜형%시위%동추하
散射机制%蒙特卡罗方法%散射率
散射機製%矇特卡囉方法%散射率
산사궤제%몽특잡라방법%산사솔
从量子力学的微扰理论入手,总结并比较了半绝缘GaAs光电导开关中主要的散射机制的散射率表达式和散射终态,给出了所选择的散射机制下的模拟结果及其分析.
從量子力學的微擾理論入手,總結併比較瞭半絕緣GaAs光電導開關中主要的散射機製的散射率錶達式和散射終態,給齣瞭所選擇的散射機製下的模擬結果及其分析.
종양자역학적미우이론입수,총결병비교료반절연GaAs광전도개관중주요적산사궤제적산사솔표체식화산사종태,급출료소선택적산사궤제하적모의결과급기분석.
