微波学报
微波學報
미파학보
JOURNAL OF MICROWAVES
2007年
z1期
130-133
,共4页
徐跃杭%徐锐敏%延波%王磊
徐躍杭%徐銳敏%延波%王磊
서약항%서예민%연파%왕뢰
SiC MESFET(碳化硅金属半导体场效应管)%小信号等效电路%GaAs MESFET
SiC MESFET(碳化硅金屬半導體場效應管)%小信號等效電路%GaAs MESFET
SiC MESFET(탄화규금속반도체장효응관)%소신호등효전로%GaAs MESFET
在传统GaAs MESFET器件小信号模型基础上提出一种更适合SiC MESFET器件的小信号等效电路模型.该模型在引入了与栅压相关的输入电导后,明显改善了S11的拟合精度.提出直接利用cold FET反向栅压偏置下的S参数,通过曲线拟合和外插技术提取SiC MESFET小信号等效电路寄生参数的方法.该模型应用于国内SiCMESFET工艺线,在O.5～18GHz范围内S参数的仿真值和实测值非常吻合.
在傳統GaAs MESFET器件小信號模型基礎上提齣一種更適閤SiC MESFET器件的小信號等效電路模型.該模型在引入瞭與柵壓相關的輸入電導後,明顯改善瞭S11的擬閤精度.提齣直接利用cold FET反嚮柵壓偏置下的S參數,通過麯線擬閤和外插技術提取SiC MESFET小信號等效電路寄生參數的方法.該模型應用于國內SiCMESFET工藝線,在O.5～18GHz範圍內S參數的倣真值和實測值非常吻閤.
재전통GaAs MESFET기건소신호모형기출상제출일충경괄합SiC MESFET기건적소신호등효전로모형.해모형재인입료여책압상관적수입전도후,명현개선료S11적의합정도.제출직접이용cold FET반향책압편치하적S삼수,통과곡선의합화외삽기술제취SiC MESFET소신호등효전로기생삼수적방법.해모형응용우국내SiCMESFET공예선,재O.5～18GHz범위내S삼수적방진치화실측치비상문합.
