半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2011年
1期
45-48
,共4页
张旭琛%彭敏%戴庆元%杜涛
張旭琛%彭敏%戴慶元%杜濤
장욱침%팽민%대경원%두도
上电复位%低功耗%射频识别%0.13 μm%互补金属氧化物半导体
上電複位%低功耗%射頻識彆%0.13 μm%互補金屬氧化物半導體
상전복위%저공모%사빈식별%0.13 μm%호보금속양화물반도체
介绍了一种用于射频标签芯片中数字逻辑部分的上电复位电路.该上电复住电路适应于低电源电压的芯片,改变MOS晶体管的参数以及延迟时间可以调节脉冲的宽度和数字门电路加宽脉冲的宽度,通过反馈管,电路能够抵抗比较大的电源电压噪声影响.电路产生上电复位信号脉冲后,通过反馈控制使能端信号关断整个电路,实现低功耗.电路采用华虹NEC公司0.13μm标准CMOS工艺流片,测试结果表明,此电路能够输出有效的脉冲信号;脉冲过后的导通电流基本为0.FPGA平台的验证表明,芯片输出的POR信号能够正确启动标签中的数字基带芯片,输出信号有效.
介紹瞭一種用于射頻標籤芯片中數字邏輯部分的上電複位電路.該上電複住電路適應于低電源電壓的芯片,改變MOS晶體管的參數以及延遲時間可以調節脈遲的寬度和數字門電路加寬脈遲的寬度,通過反饋管,電路能夠牴抗比較大的電源電壓譟聲影響.電路產生上電複位信號脈遲後,通過反饋控製使能耑信號關斷整箇電路,實現低功耗.電路採用華虹NEC公司0.13μm標準CMOS工藝流片,測試結果錶明,此電路能夠輸齣有效的脈遲信號;脈遲過後的導通電流基本為0.FPGA平檯的驗證錶明,芯片輸齣的POR信號能夠正確啟動標籤中的數字基帶芯片,輸齣信號有效.
개소료일충용우사빈표첨심편중수자라집부분적상전복위전로.해상전복주전로괄응우저전원전압적심편,개변MOS정체관적삼수이급연지시간가이조절맥충적관도화수자문전로가관맥충적관도,통과반궤관,전로능구저항비교대적전원전압조성영향.전로산생상전복위신호맥충후,통과반궤공제사능단신호관단정개전로,실현저공모.전로채용화홍NEC공사0.13μm표준CMOS공예류편,측시결과표명,차전로능구수출유효적맥충신호;맥충과후적도통전류기본위0.FPGA평태적험증표명,심편수출적POR신호능구정학계동표첨중적수자기대심편,수출신호유효.
