半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2011年
5期
355-358
,共4页
徐守利%刘英坤%黄雒光%胡顺欣%邓建国%潘茹
徐守利%劉英坤%黃雒光%鬍順訢%鄧建國%潘茹
서수리%류영곤%황락광%호순흔%산건국%반여
硅%L波段%微波脉冲%功率晶体管%亚微米
硅%L波段%微波脈遲%功率晶體管%亞微米
규%L파단%미파맥충%공솔정체관%아미미
介绍了L波段300 W宽带硅微波脉冲大功率晶体管研制结果.采用大面积亚微米精细线条阵列加工技术、深亚微米浅结制备工艺技术、均匀热分布技术、双层金属化技术等工艺技术,研制出了L波段300 W宽带硅微波脉冲大功率晶体管.器件在1.2～1.4 GHz频带内,脉冲宽度150μs,占空比10%,工作电压40 V条件下,全频带内输出功率大于300 W,功率增益大于8.75 dB,集电极效率大于55%,并具有良好的可靠性.
介紹瞭L波段300 W寬帶硅微波脈遲大功率晶體管研製結果.採用大麵積亞微米精細線條陣列加工技術、深亞微米淺結製備工藝技術、均勻熱分佈技術、雙層金屬化技術等工藝技術,研製齣瞭L波段300 W寬帶硅微波脈遲大功率晶體管.器件在1.2～1.4 GHz頻帶內,脈遲寬度150μs,佔空比10%,工作電壓40 V條件下,全頻帶內輸齣功率大于300 W,功率增益大于8.75 dB,集電極效率大于55%,併具有良好的可靠性.
개소료L파단300 W관대규미파맥충대공솔정체관연제결과.채용대면적아미미정세선조진렬가공기술、심아미미천결제비공예기술、균균열분포기술、쌍층금속화기술등공예기술,연제출료L파단300 W관대규미파맥충대공솔정체관.기건재1.2～1.4 GHz빈대내,맥충관도150μs,점공비10%,공작전압40 V조건하,전빈대내수출공솔대우300 W,공솔증익대우8.75 dB,집전겁효솔대우55%,병구유량호적가고성.
