真空科学与技术学报
真空科學與技術學報
진공과학여기술학보
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY
2001年
6期
434-436,444
,共4页
顾有松%周剑平%李丹%常香荣%田中卓%方光旦%宋庆山
顧有鬆%週劍平%李丹%常香榮%田中卓%方光旦%宋慶山
고유송%주검평%리단%상향영%전중탁%방광단%송경산
磁导率%Fe-N薄膜%磁场热处理
磁導率%Fe-N薄膜%磁場熱處理
자도솔%Fe-N박막%자장열처리
研究了用RF溅射法制备的Fe-N薄膜经过250℃磁场热处理后高频磁导率的变化情况.实验结果发现,在优化生长条件下生长的Fe-N薄膜样品,在1～10 MHz的频率范围内,易磁化方向的高频磁导率较小,但其难磁化方向的相对磁导率可以高达1500,并且基本恒定,说明这种Fe-N薄膜已能满足作为高密度存储写入头材料的要求.
研究瞭用RF濺射法製備的Fe-N薄膜經過250℃磁場熱處理後高頻磁導率的變化情況.實驗結果髮現,在優化生長條件下生長的Fe-N薄膜樣品,在1～10 MHz的頻率範圍內,易磁化方嚮的高頻磁導率較小,但其難磁化方嚮的相對磁導率可以高達1500,併且基本恆定,說明這種Fe-N薄膜已能滿足作為高密度存儲寫入頭材料的要求.
연구료용RF천사법제비적Fe-N박막경과250℃자장열처리후고빈자도솔적변화정황.실험결과발현,재우화생장조건하생장적Fe-N박막양품,재1～10 MHz적빈솔범위내,역자화방향적고빈자도솔교소,단기난자화방향적상대자도솔가이고체1500,병차기본항정,설명저충Fe-N박막이능만족작위고밀도존저사입두재료적요구.
