微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2004年
3期
322-325
,共4页
杨柯%赵晖%徐栋麟%任俊彦
楊柯%趙暉%徐棟麟%任俊彥
양가%조휘%서동린%임준언
低噪声放大器%片上电感%噪声系数
低譟聲放大器%片上電感%譟聲繫數
저조성방대기%편상전감%조성계수
介绍了一个针对无线通讯应用的2-GHz低噪声放大器(LNA)的设计.该电路采用标准的0.6 μm CMOS工艺,电源电压为3.3 V,设计中使用了多个片上电感.对低噪声放大器的噪声进行了分析,模拟结果显示,该电路能提供18 dB的正向增益(S21)及良好的反向隔离性能(S12为-44dB),功耗为33.94 mW,噪声系数为2.3 dB,IIP3为-4.9 dBm.
介紹瞭一箇針對無線通訊應用的2-GHz低譟聲放大器(LNA)的設計.該電路採用標準的0.6 μm CMOS工藝,電源電壓為3.3 V,設計中使用瞭多箇片上電感.對低譟聲放大器的譟聲進行瞭分析,模擬結果顯示,該電路能提供18 dB的正嚮增益(S21)及良好的反嚮隔離性能(S12為-44dB),功耗為33.94 mW,譟聲繫數為2.3 dB,IIP3為-4.9 dBm.
개소료일개침대무선통신응용적2-GHz저조성방대기(LNA)적설계.해전로채용표준적0.6 μm CMOS공예,전원전압위3.3 V,설계중사용료다개편상전감.대저조성방대기적조성진행료분석,모의결과현시,해전로능제공18 dB적정향증익(S21)급량호적반향격리성능(S12위-44dB),공모위33.94 mW,조성계수위2.3 dB,IIP3위-4.9 dBm.
