电子器件
電子器件
전자기건
JOURNAL OF ELECTRON DEVICES
2004年
4期
607-610
,共4页
刘欣芳%冯军%金杰%王骏峰%陆竞虞%袁盛
劉訢芳%馮軍%金傑%王駿峰%陸競虞%袁盛
류흔방%풍군%금걸%왕준봉%륙경우%원성
光接收机%单片集成%限幅放大器%时钟恢复%数据判决
光接收機%單片集成%限幅放大器%時鐘恢複%數據判決
광접수궤%단편집성%한폭방대기%시종회복%수거판결
利用TSMC 0.18 μm CMOS工艺设计的,应用于光纤传输系统SDH STM-64速率级(10 Gb/s)的单片光接收机.该接收机包括限幅放大器、时钟恢复、数据判决电路.后仿真可工作在10 Gb/s速率上.该电路采用1.8 V电源电压,功耗500 mW,50 Ω负载上单端输出.摆幅340 mV,芯片面积1.968 mm×1.135 mm.
利用TSMC 0.18 μm CMOS工藝設計的,應用于光纖傳輸繫統SDH STM-64速率級(10 Gb/s)的單片光接收機.該接收機包括限幅放大器、時鐘恢複、數據判決電路.後倣真可工作在10 Gb/s速率上.該電路採用1.8 V電源電壓,功耗500 mW,50 Ω負載上單耑輸齣.襬幅340 mV,芯片麵積1.968 mm×1.135 mm.
이용TSMC 0.18 μm CMOS공예설계적,응용우광섬전수계통SDH STM-64속솔급(10 Gb/s)적단편광접수궤.해접수궤포괄한폭방대기、시종회복、수거판결전로.후방진가공작재10 Gb/s속솔상.해전로채용1.8 V전원전압,공모500 mW,50 Ω부재상단단수출.파폭340 mV,심편면적1.968 mm×1.135 mm.
