电子器件
電子器件
전자기건
JOURNAL OF ELECTRON DEVICES
2007年
1期
26-28
,共3页
龙飞%杜江锋%罗谦%靳翀%杨谟华
龍飛%杜江鋒%囉謙%靳翀%楊謨華
룡비%두강봉%라겸%근충%양모화
电流崩塌效应%AlGaN/GaN%HEMT%栅脉冲%表面态
電流崩塌效應%AlGaN/GaN%HEMT%柵脈遲%錶麵態
전류붕탑효응%AlGaN/GaN%HEMT%책맥충%표면태
源于AlGaN/GaNHEMT器件的大量测试分析发现,栅脉冲条件下漏极电流比直流情况下减小了47%;随着信号频率的改变,漏极电流按μnCoxW[α+(0.13+0.64f)VGS+(0.13+0.32 f)VGS2](VGS-Vth)2/L的规律变化;脉冲信号宽度对漏电流崩塌影响较小.基于实验结果的理论分析认为,电子从栅极注入到栅漏之间并被表面态所俘获,在沟道中形成增加的耗尽层,使得沟道二维电子气浓度减小,从而导致形成电流崩塌效应的主要原因之一.该结论有助于AlGaN HEMT器件脉冲条件下电流崩塌效应理论解释和器件应用.
源于AlGaN/GaNHEMT器件的大量測試分析髮現,柵脈遲條件下漏極電流比直流情況下減小瞭47%;隨著信號頻率的改變,漏極電流按μnCoxW[α+(0.13+0.64f)VGS+(0.13+0.32 f)VGS2](VGS-Vth)2/L的規律變化;脈遲信號寬度對漏電流崩塌影響較小.基于實驗結果的理論分析認為,電子從柵極註入到柵漏之間併被錶麵態所俘穫,在溝道中形成增加的耗儘層,使得溝道二維電子氣濃度減小,從而導緻形成電流崩塌效應的主要原因之一.該結論有助于AlGaN HEMT器件脈遲條件下電流崩塌效應理論解釋和器件應用.
원우AlGaN/GaNHEMT기건적대량측시분석발현,책맥충조건하루겁전류비직류정황하감소료47%;수착신호빈솔적개변,루겁전류안μnCoxW[α+(0.13+0.64f)VGS+(0.13+0.32 f)VGS2](VGS-Vth)2/L적규률변화;맥충신호관도대루전류붕탑영향교소.기우실험결과적이론분석인위,전자종책겁주입도책루지간병피표면태소부획,재구도중형성증가적모진층,사득구도이유전자기농도감소,종이도치형성전류붕탑효응적주요원인지일.해결론유조우AlGaN HEMT기건맥충조건하전류붕탑효응이론해석화기건응용.
