核电子学与探测技术
覈電子學與探測技術
핵전자학여탐측기술
NUCLEAR ELECTRONICS & DETECTION TECHNOLOGY
2007年
1期
147-149
,共3页
ONO%MTM%反熔丝%总剂量
ONO%MTM%反鎔絲%總劑量
ONO%MTM%반용사%총제량
以ONO和MTM反熔丝具有代表性的FPGA总剂量效应比较.实验得到ONO反熔丝0.6 μm工艺A1280XL无偏置时FPGA失效阈最大为33.2 Gy,而MTM(Metal-To-Metal)反熔丝0.6 和0.25 μm工艺RT54SX的总剂量效应,器件表现出好于1000 Gy的总剂量能力.从而比较得出MTM反熔丝工艺结构芯片具有很好的抗总剂量能力.
以ONO和MTM反鎔絲具有代錶性的FPGA總劑量效應比較.實驗得到ONO反鎔絲0.6 μm工藝A1280XL無偏置時FPGA失效閾最大為33.2 Gy,而MTM(Metal-To-Metal)反鎔絲0.6 和0.25 μm工藝RT54SX的總劑量效應,器件錶現齣好于1000 Gy的總劑量能力.從而比較得齣MTM反鎔絲工藝結構芯片具有很好的抗總劑量能力.
이ONO화MTM반용사구유대표성적FPGA총제량효응비교.실험득도ONO반용사0.6 μm공예A1280XL무편치시FPGA실효역최대위33.2 Gy,이MTM(Metal-To-Metal)반용사0.6 화0.25 μm공예RT54SX적총제량효응,기건표현출호우1000 Gy적총제량능력.종이비교득출MTM반용사공예결구심편구유흔호적항총제량능력.
