半导体光电
半導體光電
반도체광전
SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
2008年
1期
34-40
,共7页
占生宝%赵尚弘%胥杰%楚兴春%吴卓亮
佔生寶%趙尚弘%胥傑%楚興春%吳卓亮
점생보%조상홍%서걸%초흥춘%오탁량
光纤激光器%改进的环形腔%双包层掺Tm3+光纤%再吸收损耗%阈值功率%稳态特性
光纖激光器%改進的環形腔%雙包層摻Tm3+光纖%再吸收損耗%閾值功率%穩態特性
광섬격광기%개진적배형강%쌍포층참Tm3+광섬%재흡수손모%역치공솔%은태특성
设计了一种改进的环形腔双包层掺Tm3+光纤激光器.通过分析准三能级系统的再吸收损耗并对比实验结果,获得了双包层掺Tm3+光纤激光器的阈值功率和热平衡时反转粒子的数量;研究了所设计的环形腔双包层Tm3+光纤激光器的稳态特性,仿真结果表明:环形腔结构下,整个光纤都处于高泵浦状态之中,且随入射功率的增加,泵浦功率增加更明显;在光纤长度不变的情况下,二色镜最佳反射率随泵浦功率的增加逐渐增大;在二色镜反射率不变的情况下,随泵浦功率的增加,最佳光纤长度逐渐增加.
設計瞭一種改進的環形腔雙包層摻Tm3+光纖激光器.通過分析準三能級繫統的再吸收損耗併對比實驗結果,穫得瞭雙包層摻Tm3+光纖激光器的閾值功率和熱平衡時反轉粒子的數量;研究瞭所設計的環形腔雙包層Tm3+光纖激光器的穩態特性,倣真結果錶明:環形腔結構下,整箇光纖都處于高泵浦狀態之中,且隨入射功率的增加,泵浦功率增加更明顯;在光纖長度不變的情況下,二色鏡最佳反射率隨泵浦功率的增加逐漸增大;在二色鏡反射率不變的情況下,隨泵浦功率的增加,最佳光纖長度逐漸增加.
설계료일충개진적배형강쌍포층참Tm3+광섬격광기.통과분석준삼능급계통적재흡수손모병대비실험결과,획득료쌍포층참Tm3+광섬격광기적역치공솔화열평형시반전입자적수량;연구료소설계적배형강쌍포층Tm3+광섬격광기적은태특성,방진결과표명:배형강결구하,정개광섬도처우고빙포상태지중,차수입사공솔적증가,빙포공솔증가경명현;재광섬장도불변적정황하,이색경최가반사솔수빙포공솔적증가축점증대;재이색경반사솔불변적정황하,수빙포공솔적증가,최가광섬장도축점증가.
