电子器件
電子器件
전자기건
JOURNAL OF ELECTRON DEVICES
2009年
6期
1059-1061,1066
,共4页
电流传输器%轨对轨%AB类推免输出%CMOS
電流傳輸器%軌對軌%AB類推免輸齣%CMOS
전류전수기%궤대궤%AB유추면수출%CMOS
设计了一种电压和电流跟随能力强,低压驱动性能好的第二代电流传输器.采用SMIC 0.18 μm工艺,利用Spectre对整个电路进行了仿真.电源电压为1.8 V,输入级采用轨对轨的结构,有效地提高了信号的摆幅;输出级采用AB类推免输出方式,在降低电路功耗的同时,也提高了电流的驱动能力.通过采用MOS管与电容串联的补偿方式,有效地改善了CCII+的频率响应特性.仿真结果表明,该CCII+的-3 dB带宽达709 MHz,X端输入电阻低于100 Ω,电流驱动能力为0.05 mA-2.5 mA,电路功耗为140 μW.
設計瞭一種電壓和電流跟隨能力彊,低壓驅動性能好的第二代電流傳輸器.採用SMIC 0.18 μm工藝,利用Spectre對整箇電路進行瞭倣真.電源電壓為1.8 V,輸入級採用軌對軌的結構,有效地提高瞭信號的襬幅;輸齣級採用AB類推免輸齣方式,在降低電路功耗的同時,也提高瞭電流的驅動能力.通過採用MOS管與電容串聯的補償方式,有效地改善瞭CCII+的頻率響應特性.倣真結果錶明,該CCII+的-3 dB帶寬達709 MHz,X耑輸入電阻低于100 Ω,電流驅動能力為0.05 mA-2.5 mA,電路功耗為140 μW.
설계료일충전압화전류근수능력강,저압구동성능호적제이대전류전수기.채용SMIC 0.18 μm공예,이용Spectre대정개전로진행료방진.전원전압위1.8 V,수입급채용궤대궤적결구,유효지제고료신호적파폭;수출급채용AB유추면수출방식,재강저전로공모적동시,야제고료전류적구동능력.통과채용MOS관여전용천련적보상방식,유효지개선료CCII+적빈솔향응특성.방진결과표명,해CCII+적-3 dB대관체709 MHz,X단수입전조저우100 Ω,전류구동능력위0.05 mA-2.5 mA,전로공모위140 μW.