硅谷
硅穀
규곡
SILICON VALLEY
2011年
13期
65-67
,共3页
ADS仿真%低噪声放大器%芯片ATF-55143
ADS倣真%低譟聲放大器%芯片ATF-55143
ADS방진%저조성방대기%심편ATF-55143
介绍Agilent公司的ADS仿真软件进行设计与仿真低噪声放大器的方法与步骤.首先简介低噪声放大器的主要技术指标,然后利用Agilent芯片ATF55143进行低噪声放大器的设计仿真,通过仿真得到中心频率为2.45GHz的通带内的增益大于12dB;噪声系数小于2.5dB;通带内绝对稳定,系统的特性主抗为50欧姆的仿真结果,这对低噪声放大器的设计有一定的参考价值.
介紹Agilent公司的ADS倣真軟件進行設計與倣真低譟聲放大器的方法與步驟.首先簡介低譟聲放大器的主要技術指標,然後利用Agilent芯片ATF55143進行低譟聲放大器的設計倣真,通過倣真得到中心頻率為2.45GHz的通帶內的增益大于12dB;譟聲繫數小于2.5dB;通帶內絕對穩定,繫統的特性主抗為50歐姆的倣真結果,這對低譟聲放大器的設計有一定的參攷價值.
개소Agilent공사적ADS방진연건진행설계여방진저조성방대기적방법여보취.수선간개저조성방대기적주요기술지표,연후이용Agilent심편ATF55143진행저조성방대기적설계방진,통과방진득도중심빈솔위2.45GHz적통대내적증익대우12dB;조성계수소우2.5dB;통대내절대은정,계통적특성주항위50구모적방진결과,저대저조성방대기적설계유일정적삼고개치.
