半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2011年
4期
287-290
,共4页
秦威%李勇滔%李超波%夏洋%李英杰%赵章琰%许晓平
秦威%李勇滔%李超波%夏洋%李英傑%趙章琰%許曉平
진위%리용도%리초파%하양%리영걸%조장염%허효평
固态射频电源%E类%阻抗匹配网络%等离子体%全反射
固態射頻電源%E類%阻抗匹配網絡%等離子體%全反射
고태사빈전원%E류%조항필배망락%등리자체%전반사
射频电源作为微电子设备如刻蚀机、溅射台和PECVD等的核心部件,其性能的好坏直接关系到整个设备的性能.固态射频电源采用E类MOSFET功率放大器,通过适当的阻抗匹配网络,最终的射频电源在500 W的额定功率下,功率转换效率可以达到84%,微电子设备真空腔室内的等离子体启辉时,其阻抗变化范围很大且速度很快.目前匹配速度最快的MKS的自动匹配器(在允许匹配范围内匹配到50 Ω时用时3～5 s)也很难实时跟上,所以固态射频电源必须能够承受500W功率的反射至少3～5 s.经过实验后,本固态射频电源完全可以承受500 W功率的全反射30 s左右.
射頻電源作為微電子設備如刻蝕機、濺射檯和PECVD等的覈心部件,其性能的好壞直接關繫到整箇設備的性能.固態射頻電源採用E類MOSFET功率放大器,通過適噹的阻抗匹配網絡,最終的射頻電源在500 W的額定功率下,功率轉換效率可以達到84%,微電子設備真空腔室內的等離子體啟輝時,其阻抗變化範圍很大且速度很快.目前匹配速度最快的MKS的自動匹配器(在允許匹配範圍內匹配到50 Ω時用時3～5 s)也很難實時跟上,所以固態射頻電源必鬚能夠承受500W功率的反射至少3～5 s.經過實驗後,本固態射頻電源完全可以承受500 W功率的全反射30 s左右.
사빈전원작위미전자설비여각식궤、천사태화PECVD등적핵심부건,기성능적호배직접관계도정개설비적성능.고태사빈전원채용E류MOSFET공솔방대기,통과괄당적조항필배망락,최종적사빈전원재500 W적액정공솔하,공솔전환효솔가이체도84%,미전자설비진공강실내적등리자체계휘시,기조항변화범위흔대차속도흔쾌.목전필배속도최쾌적MKS적자동필배기(재윤허필배범위내필배도50 Ω시용시3～5 s)야흔난실시근상,소이고태사빈전원필수능구승수500W공솔적반사지소3～5 s.경과실험후,본고태사빈전원완전가이승수500 W공솔적전반사30 s좌우.
