半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2011年
2期
136-139
,共4页
刘锋%韩焕鹏%李丹%王世援%吴磊%周传月%莫宇
劉鋒%韓煥鵬%李丹%王世援%吳磊%週傳月%莫宇
류봉%한환붕%리단%왕세원%오뢰%주전월%막우
硅单晶%<111>晶向%直拉法%高晶转%密闭式热场
硅單晶%<111>晶嚮%直拉法%高晶轉%密閉式熱場
규단정%<111>정향%직랍법%고정전%밀폐식열장
在Kayex CG6000单晶炉上采用优化的350 mm密闭式热场,在23 ～25 r/min高晶转下用直拉法拉制出了椎76.2～125 mm、n型高阻<111>晶向Si 单晶, 单晶的外形和径向电阻率均匀性良好.对<111>晶向Si 单晶在高晶转下生长容易出现扭曲变形、棱面较宽现象的原因进行了分析.通过添加热屏,加强热场的保温和热屏的隔热作用,及缩小等径生长阶段熔Si液面与热屏间的距离,提高了晶体结晶前沿的温度梯度.从而避免了<111>晶向Si单晶的扭曲变形,减小了单晶棱面宽度, 同时有利于消除晶体的漩涡缺陷.
在Kayex CG6000單晶爐上採用優化的350 mm密閉式熱場,在23 ～25 r/min高晶轉下用直拉法拉製齣瞭椎76.2～125 mm、n型高阻<111>晶嚮Si 單晶, 單晶的外形和徑嚮電阻率均勻性良好.對<111>晶嚮Si 單晶在高晶轉下生長容易齣現扭麯變形、稜麵較寬現象的原因進行瞭分析.通過添加熱屏,加彊熱場的保溫和熱屏的隔熱作用,及縮小等徑生長階段鎔Si液麵與熱屏間的距離,提高瞭晶體結晶前沿的溫度梯度.從而避免瞭<111>晶嚮Si單晶的扭麯變形,減小瞭單晶稜麵寬度, 同時有利于消除晶體的漩渦缺陷.
재Kayex CG6000단정로상채용우화적350 mm밀폐식열장,재23 ～25 r/min고정전하용직랍법랍제출료추76.2～125 mm、n형고조<111>정향Si 단정, 단정적외형화경향전조솔균균성량호.대<111>정향Si 단정재고정전하생장용역출현뉴곡변형、릉면교관현상적원인진행료분석.통과첨가열병,가강열장적보온화열병적격열작용,급축소등경생장계단용Si액면여열병간적거리,제고료정체결정전연적온도제도.종이피면료<111>정향Si단정적뉴곡변형,감소료단정릉면관도, 동시유리우소제정체적선와결함.
