太阳能学报
太暘能學報
태양능학보
ACTA ENERGIAE SOLARIS SINICA
2009年
5期
611-614
,共4页
陈玉武%郝秋艳%刘彩池%赵建国%吴丹%王勇
陳玉武%郝鞦豔%劉綵池%趙建國%吳丹%王勇
진옥무%학추염%류채지%조건국%오단%왕용
铸造多晶硅%RTP%少子寿命%杂质%缺陷
鑄造多晶硅%RTP%少子壽命%雜質%缺陷
주조다정규%RTP%소자수명%잡질%결함
利用离子注入技术在铸造多晶硅中分别引入铜、铁、镍杂质玷污,用微波光电导衰减(μ-PCD)仪测试技术研究了铜、铁、镍杂质对硅片少子寿命的影响.研究发现:原生铸造多晶硅片和离子注入铜、铁、镍杂质的多晶硅片经1000℃常规热处理2h后少子寿命值都会降低,下降幅度基本一致.原生硅片在低中温条件下,少子寿命值呈现先下降后上升的趋势;当硅片经高温RIP后,其少子寿命值得到明显改善.低中温RTP条件下,经铜、镍杂质玷污的硅片随着退火温度的升高,少子寿命变化不大.高温RTP条件下,经铜、铁、镍杂质玷污后硅片的少子寿命迅速下降.实验结果表明高温RTP能够提高杂质含量较低硅片的少子寿命,而对杂质含量较高硅片的少子寿命有负面影响.
利用離子註入技術在鑄造多晶硅中分彆引入銅、鐵、鎳雜質玷汙,用微波光電導衰減(μ-PCD)儀測試技術研究瞭銅、鐵、鎳雜質對硅片少子壽命的影響.研究髮現:原生鑄造多晶硅片和離子註入銅、鐵、鎳雜質的多晶硅片經1000℃常規熱處理2h後少子壽命值都會降低,下降幅度基本一緻.原生硅片在低中溫條件下,少子壽命值呈現先下降後上升的趨勢;噹硅片經高溫RIP後,其少子壽命值得到明顯改善.低中溫RTP條件下,經銅、鎳雜質玷汙的硅片隨著退火溫度的升高,少子壽命變化不大.高溫RTP條件下,經銅、鐵、鎳雜質玷汙後硅片的少子壽命迅速下降.實驗結果錶明高溫RTP能夠提高雜質含量較低硅片的少子壽命,而對雜質含量較高硅片的少子壽命有負麵影響.
이용리자주입기술재주조다정규중분별인입동、철、얼잡질점오,용미파광전도쇠감(μ-PCD)의측시기술연구료동、철、얼잡질대규편소자수명적영향.연구발현:원생주조다정규편화리자주입동、철、얼잡질적다정규편경1000℃상규열처리2h후소자수명치도회강저,하강폭도기본일치.원생규편재저중온조건하,소자수명치정현선하강후상승적추세;당규편경고온RIP후,기소자수명치득도명현개선.저중온RTP조건하,경동、얼잡질점오적규편수착퇴화온도적승고,소자수명변화불대.고온RTP조건하,경동、철、얼잡질점오후규편적소자수명신속하강.실험결과표명고온RTP능구제고잡질함량교저규편적소자수명,이대잡질함량교고규편적소자수명유부면영향.
