信息技术与标准化
信息技術與標準化
신식기술여표준화
INFORMATION TECHNOLOGY & STANDARDIZATION
2008年
12期
29-31
,共3页
压焊点%ESD保护%CMOS集成电路
壓銲點%ESD保護%CMOS集成電路
압한점%ESD보호%CMOS집성전로
研究一种制作在集成电路压焊点金属下面的以二极管为基本单元的静电放电保护结构,这样减小了为制作静电保护电路而消耗的面积.这种结构用金球或铝楔入压焊的方法,用三层或四层金属CMOS工艺制成.压焊后目检没发现不正常现象,电测试也没发现ESD所造成的失效,这种结构通过了产品质量等级测试.
研究一種製作在集成電路壓銲點金屬下麵的以二極管為基本單元的靜電放電保護結構,這樣減小瞭為製作靜電保護電路而消耗的麵積.這種結構用金毬或鋁楔入壓銲的方法,用三層或四層金屬CMOS工藝製成.壓銲後目檢沒髮現不正常現象,電測試也沒髮現ESD所造成的失效,這種結構通過瞭產品質量等級測試.
연구일충제작재집성전로압한점금속하면적이이겁관위기본단원적정전방전보호결구,저양감소료위제작정전보호전로이소모적면적.저충결구용금구혹려설입압한적방법,용삼층혹사층금속CMOS공예제성.압한후목검몰발현불정상현상,전측시야몰발현ESD소조성적실효,저충결구통과료산품질량등급측시.
