电子器件
電子器件
전자기건
JOURNAL OF ELECTRON DEVICES
2008年
6期
1765-1768
,共4页
郑惟彬%李晨%李辉%陈堂胜%任春江
鄭惟彬%李晨%李輝%陳堂勝%任春江
정유빈%리신%리휘%진당성%임춘강
氮化镓%高电子迁移率晶体管%Cold%FET模型
氮化鎵%高電子遷移率晶體管%Cold%FET模型
담화가%고전자천이솔정체관%Cold%FET모형
改进等效寄生电感的提取对提高小信号等效电路模型的仿真精度具有重要意义,尤其是氮化镓器件(GaN).针对传统的等效寄生电感提取方法,本文推导了用于GaN HEMT器件的新型Cold FET模型及参数提取.通过对栅宽分别为200μm和1000μtm GaN HEMT的仿真/测试,表明:新的Cold FET模型可用于GaN HEMT器件等效寄生电感的提取.这将有助于场效应晶体管模型的研究.
改進等效寄生電感的提取對提高小信號等效電路模型的倣真精度具有重要意義,尤其是氮化鎵器件(GaN).針對傳統的等效寄生電感提取方法,本文推導瞭用于GaN HEMT器件的新型Cold FET模型及參數提取.通過對柵寬分彆為200μm和1000μtm GaN HEMT的倣真/測試,錶明:新的Cold FET模型可用于GaN HEMT器件等效寄生電感的提取.這將有助于場效應晶體管模型的研究.
개진등효기생전감적제취대제고소신호등효전로모형적방진정도구유중요의의,우기시담화가기건(GaN).침대전통적등효기생전감제취방법,본문추도료용우GaN HEMT기건적신형Cold FET모형급삼수제취.통과대책관분별위200μm화1000μtm GaN HEMT적방진/측시,표명:신적Cold FET모형가용우GaN HEMT기건등효기생전감적제취.저장유조우장효응정체관모형적연구.
