半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2007年
z1期
376-378
,共3页
王茂俊%沈波%王彦%黄森%许福军%许谏%杨志坚%张国义
王茂俊%瀋波%王彥%黃森%許福軍%許諫%楊誌堅%張國義
왕무준%침파%왕언%황삼%허복군%허간%양지견%장국의
GaN%AlxGa1-xN/GaN异质结%位错%Hall%高温
GaN%AlxGa1-xN/GaN異質結%位錯%Hall%高溫
GaN%AlxGa1-xN/GaN이질결%위착%Hall%고온
通过高温Hall测量研究了GaN和AlxGa1-xN/GaN异质结从室温到500℃高温下的输运性质.实验发现GaN背景载流子浓度随着温度的升高而升高,载流子浓度变化的幅度和GaN的位错密度存在正比关系,持续光电导的跃迁幅度和GaN的位错密度也存在正比关系,说明位错相关的深施主或者陷阱对GaN在高温下的背景浓度有很大影响.实验发现AlxGa1-xN/GaN异质结中二维电子气的浓度在室温到250℃的范围内随着温度的升高而下降,然后随着温度的升高开始增加.前者主要是由于随着温度的升高,AlxGa1-xN/GaN异质结的导带不连续减小引起的,后者主要是由GaN层背景载流子浓度增加导致的.通过求解自洽的薛定谔和泊松方程得到的二维电子气浓度的温度关系和实验结果一致.
通過高溫Hall測量研究瞭GaN和AlxGa1-xN/GaN異質結從室溫到500℃高溫下的輸運性質.實驗髮現GaN揹景載流子濃度隨著溫度的升高而升高,載流子濃度變化的幅度和GaN的位錯密度存在正比關繫,持續光電導的躍遷幅度和GaN的位錯密度也存在正比關繫,說明位錯相關的深施主或者陷阱對GaN在高溫下的揹景濃度有很大影響.實驗髮現AlxGa1-xN/GaN異質結中二維電子氣的濃度在室溫到250℃的範圍內隨著溫度的升高而下降,然後隨著溫度的升高開始增加.前者主要是由于隨著溫度的升高,AlxGa1-xN/GaN異質結的導帶不連續減小引起的,後者主要是由GaN層揹景載流子濃度增加導緻的.通過求解自洽的薛定諤和泊鬆方程得到的二維電子氣濃度的溫度關繫和實驗結果一緻.
통과고온Hall측량연구료GaN화AlxGa1-xN/GaN이질결종실온도500℃고온하적수운성질.실험발현GaN배경재류자농도수착온도적승고이승고,재류자농도변화적폭도화GaN적위착밀도존재정비관계,지속광전도적약천폭도화GaN적위착밀도야존재정비관계,설명위착상관적심시주혹자함정대GaN재고온하적배경농도유흔대영향.실험발현AlxGa1-xN/GaN이질결중이유전자기적농도재실온도250℃적범위내수착온도적승고이하강,연후수착온도적승고개시증가.전자주요시유우수착온도적승고,AlxGa1-xN/GaN이질결적도대불련속감소인기적,후자주요시유GaN층배경재류자농도증가도치적.통과구해자흡적설정악화박송방정득도적이유전자기농도적온도관계화실험결과일치.
