真空科学与技术学报
真空科學與技術學報
진공과학여기술학보
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY
2007年
5期
426-429
,共4页
薛俊明%侯国付%王雅欣%段苓伟%刘丽杰%赵颖%耿新华
薛俊明%侯國付%王雅訢%段苓偉%劉麗傑%趙穎%耿新華
설준명%후국부%왕아흔%단령위%류려걸%조영%경신화
中频脉冲%ZnO:Al透明导电膜%磁控溅射%靶电压
中頻脈遲%ZnO:Al透明導電膜%磁控濺射%靶電壓
중빈맥충%ZnO:Al투명도전막%자공천사%파전압
用磁控溅射法制备ZnO:Al透明导电膜时,降低靶电压可以减少溅射等离子体中被靶背反射回的中性离子和负氧离子对基片的轰击,提高薄膜的质量,降低薄膜电阻.本文研究了用中频脉冲直流溅射法和Zn:Al合金靶反应溅射制备ZnO:Al透明导电膜时,脉冲参数,如脉冲频率、反向脉冲幅度、反向脉冲时间、功率、氧氩比、溅射气压等工艺条件对靶电压的影响.结果表明,延长反向脉冲时间是降低靶电压的最有效方法.当反向时间由2μs增加到10μs时,靶电压降低了60%以上.
用磁控濺射法製備ZnO:Al透明導電膜時,降低靶電壓可以減少濺射等離子體中被靶揹反射迴的中性離子和負氧離子對基片的轟擊,提高薄膜的質量,降低薄膜電阻.本文研究瞭用中頻脈遲直流濺射法和Zn:Al閤金靶反應濺射製備ZnO:Al透明導電膜時,脈遲參數,如脈遲頻率、反嚮脈遲幅度、反嚮脈遲時間、功率、氧氬比、濺射氣壓等工藝條件對靶電壓的影響.結果錶明,延長反嚮脈遲時間是降低靶電壓的最有效方法.噹反嚮時間由2μs增加到10μs時,靶電壓降低瞭60%以上.
용자공천사법제비ZnO:Al투명도전막시,강저파전압가이감소천사등리자체중피파배반사회적중성리자화부양리자대기편적굉격,제고박막적질량,강저박막전조.본문연구료용중빈맥충직류천사법화Zn:Al합금파반응천사제비ZnO:Al투명도전막시,맥충삼수,여맥충빈솔、반향맥충폭도、반향맥충시간、공솔、양아비、천사기압등공예조건대파전압적영향.결과표명,연장반향맥충시간시강저파전압적최유효방법.당반향시간유2μs증가도10μs시,파전압강저료60%이상.
