高电荷态离子40Arq+与Si表面作用中的电子发射产额
고전하태리자40Arq+여Si표면작용중적전자발사산액
The electron emission yield induced by the interaction of highly charged argon ions with silicon surface
  • 万方数据
    物理学报 물이학보

    2007年 10期 5734-5738 ,共5页

    赵永涛%肖国青%徐忠锋%Abdul Qayyum%王瑜玉%张小安%李福利%詹文龙

    조영도%초국청%서충봉%Abdul Qayyum%왕유옥%장소안%리복리%첨문룡

    高电荷态离子%势能沉积%势能沉积%电子能损%单离子产额 高電荷態離子%勢能沉積%勢能沉積%電子能損%單離子產額
    고전하태리자%세능침적%세능침적%전자능손%단리자산액
    报道了在兰州重离子加速器国家实验室电子回旋共振离子源原子物理实验平台上,用高电荷态40Arq+ (1≤q≤12)离子作用于半导体Si固体表面时的电子发射产额实验测量.实验中,通过改变炮弹离子的电荷态和引出电压选取其不同的势能和动能,系统地研究了入射离子势能沉积和与其在固体中的电子能损对表面电子发射产额的贡献.结果表明,作为引起表面电子发射的两个主要因素,单离子的电子发射产额与炮弹离子在固体表面的势能沉积和电子能损都有近似的正比关系.
    보도료재란주중리자가속기국가실험실전자회선공진리자원원자물리실험평태상,용고전하태40Arq+ (1≤q≤12)리자작용우반도체Si고체표면시적전자발사산액실험측량.실험중,통과개변포탄리자적전하태화인출전압선취기불동적세능화동능,계통지연구료입사리자세능침적화여기재고체중적전자능손대표면전자발사산액적공헌.결과표명,작위인기표면전자발사적량개주요인소,단리자적전자발사산액여포탄리자재고체표면적세능침적화전자능손도유근사적정비관계.
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