半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2007年
11期
1811-1814
,共4页
郭德博%梁萌%范曼宁%师宏伟%刘志强%王国宏%王良臣
郭德博%樑萌%範曼寧%師宏偉%劉誌彊%王國宏%王良臣
곽덕박%량맹%범만저%사굉위%류지강%왕국굉%왕량신
GaN%欧姆接触%圆形传输线模型
GaN%歐姆接觸%圓形傳輸線模型
GaN%구모접촉%원형전수선모형
分别用稀盐酸、王水以及(NH4)2S溶液处理p-GaN表面,通过测试样品表面Ols的X射线光电子能谱(XPS),比较了这些溶液去除p-GaN表面氧化层的能力;在经不同溶液处理后的样品表面,以相同的条件制作Ni/Au电极,并测试其与p-GaN的比接触电阻,结果表明经稀盐酸处理后的样品表面,由于其氧含量较高,不能与Ni/Au形成良好的欧姆接触,而经王水和(NH4)2S溶液处理后的p-GaN表面,能与Ni/Au形成良好的欧姆接触;最后,通过比较样品表面的Ga/N原子浓度比,探讨了王水处理p-GaN表面能够形成良好欧姆接触的原因.
分彆用稀鹽痠、王水以及(NH4)2S溶液處理p-GaN錶麵,通過測試樣品錶麵Ols的X射線光電子能譜(XPS),比較瞭這些溶液去除p-GaN錶麵氧化層的能力;在經不同溶液處理後的樣品錶麵,以相同的條件製作Ni/Au電極,併測試其與p-GaN的比接觸電阻,結果錶明經稀鹽痠處理後的樣品錶麵,由于其氧含量較高,不能與Ni/Au形成良好的歐姆接觸,而經王水和(NH4)2S溶液處理後的p-GaN錶麵,能與Ni/Au形成良好的歐姆接觸;最後,通過比較樣品錶麵的Ga/N原子濃度比,探討瞭王水處理p-GaN錶麵能夠形成良好歐姆接觸的原因.
분별용희염산、왕수이급(NH4)2S용액처리p-GaN표면,통과측시양품표면Ols적X사선광전자능보(XPS),비교료저사용액거제p-GaN표면양화층적능력;재경불동용액처리후적양품표면,이상동적조건제작Ni/Au전겁,병측시기여p-GaN적비접촉전조,결과표명경희염산처리후적양품표면,유우기양함량교고,불능여Ni/Au형성량호적구모접촉,이경왕수화(NH4)2S용액처리후적p-GaN표면,능여Ni/Au형성량호적구모접촉;최후,통과비교양품표면적Ga/N원자농도비,탐토료왕수처리p-GaN표면능구형성량호구모접촉적원인.
