半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2007年
9期
1477-1481
,共5页
叶强%来新泉%代国定%王辉%许录平
葉彊%來新泉%代國定%王輝%許錄平
협강%래신천%대국정%왕휘%허록평
D类功放%H桥%电荷泵%自举电容%效率
D類功放%H橋%電荷泵%自舉電容%效率
D류공방%H교%전하빙%자거전용%효솔
在D类功率放大器的设计中,为了提高驱动效率,需要一个高电平驱动H桥的高端LDNMOS管.文中设计了一种新颖的适用于D类功放的驱动电路,在芯片内部采用一个电荷泵电路.当芯片正常工作时,H桥低端LDNMOS管的驱动电平通过较大的电荷泵电容稳定在5.5V左右,H桥高端LDNMOS管的驱动电平通过自举电容高达18.8V,从而实现对D类功放H桥高端的驱动,这样既提高了驱动效率,又减少了对外部多个电源的需求.采用此电路的一款3-W的立体声D类功放已在TSMC06BCD工艺线投片,芯片效率高达89.67%,H桥高端和低端的导通电阻为320mΩ,电源抑制比(PSRR)为-62dB,THD低至0.1%,测量结果表明该驱动电路工作良好.
在D類功率放大器的設計中,為瞭提高驅動效率,需要一箇高電平驅動H橋的高耑LDNMOS管.文中設計瞭一種新穎的適用于D類功放的驅動電路,在芯片內部採用一箇電荷泵電路.噹芯片正常工作時,H橋低耑LDNMOS管的驅動電平通過較大的電荷泵電容穩定在5.5V左右,H橋高耑LDNMOS管的驅動電平通過自舉電容高達18.8V,從而實現對D類功放H橋高耑的驅動,這樣既提高瞭驅動效率,又減少瞭對外部多箇電源的需求.採用此電路的一款3-W的立體聲D類功放已在TSMC06BCD工藝線投片,芯片效率高達89.67%,H橋高耑和低耑的導通電阻為320mΩ,電源抑製比(PSRR)為-62dB,THD低至0.1%,測量結果錶明該驅動電路工作良好.
재D류공솔방대기적설계중,위료제고구동효솔,수요일개고전평구동H교적고단LDNMOS관.문중설계료일충신영적괄용우D류공방적구동전로,재심편내부채용일개전하빙전로.당심편정상공작시,H교저단LDNMOS관적구동전평통과교대적전하빙전용은정재5.5V좌우,H교고단LDNMOS관적구동전평통과자거전용고체18.8V,종이실현대D류공방H교고단적구동,저양기제고료구동효솔,우감소료대외부다개전원적수구.채용차전로적일관3-W적입체성D류공방이재TSMC06BCD공예선투편,심편효솔고체89.67%,H교고단화저단적도통전조위320mΩ,전원억제비(PSRR)위-62dB,THD저지0.1%,측량결과표명해구동전로공작량호.
