半导体光电
半導體光電
반도체광전
SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
2007年
3期
321-323
,共3页
张剑华%王俊西%李雪勇%李宏建
張劍華%王俊西%李雪勇%李宏建
장검화%왕준서%리설용%리굉건
红色器件%电致发光%电流-电压特性%亮度-电压特性
紅色器件%電緻髮光%電流-電壓特性%亮度-電壓特性
홍색기건%전치발광%전류-전압특성%량도-전압특성
选用8-羟基喹啉铝(Alq3)作基材,用具有强红光发射的四(4-羟基-3苯偶氮基)苯基卟啉(TPP)对Alq3进行掺杂,制备结构为ITO/PVK/Alq3:TPP/Al红光器件,并与在此结构中带有LiF、类金刚石碳(DLC)薄层的四种器件的电致发光光谱、电流-电压和亮度-电压特性进行了比较.结果表明:将LiF、DLC薄层分别用在Alq3/Al界面之间,可降低界面的注入势垒,增强器件的电子注入;在ITO/PVK之间使用LiF薄层可起到限制空穴注入,达到载流子平衡注入的目的.由此认为电子和空穴的平衡注入与合适的栽流子复合区域是器件获得高亮度与高效率的根本原因.
選用8-羥基喹啉鋁(Alq3)作基材,用具有彊紅光髮射的四(4-羥基-3苯偶氮基)苯基卟啉(TPP)對Alq3進行摻雜,製備結構為ITO/PVK/Alq3:TPP/Al紅光器件,併與在此結構中帶有LiF、類金剛石碳(DLC)薄層的四種器件的電緻髮光光譜、電流-電壓和亮度-電壓特性進行瞭比較.結果錶明:將LiF、DLC薄層分彆用在Alq3/Al界麵之間,可降低界麵的註入勢壘,增彊器件的電子註入;在ITO/PVK之間使用LiF薄層可起到限製空穴註入,達到載流子平衡註入的目的.由此認為電子和空穴的平衡註入與閤適的栽流子複閤區域是器件穫得高亮度與高效率的根本原因.
선용8-간기규람려(Alq3)작기재,용구유강홍광발사적사(4-간기-3분우담기)분기계람(TPP)대Alq3진행참잡,제비결구위ITO/PVK/Alq3:TPP/Al홍광기건,병여재차결구중대유LiF、류금강석탄(DLC)박층적사충기건적전치발광광보、전류-전압화량도-전압특성진행료비교.결과표명:장LiF、DLC박층분별용재Alq3/Al계면지간,가강저계면적주입세루,증강기건적전자주입;재ITO/PVK지간사용LiF박층가기도한제공혈주입,체도재류자평형주입적목적.유차인위전자화공혈적평형주입여합괄적재류자복합구역시기건획득고량도여고효솔적근본원인.
