激光与光电子学进展
激光與光電子學進展
격광여광전자학진전
LASER & OPTOELECTRONICS PROGRESS
2007年
2期
30
,共1页
IVA族磷化物%电子结构%光学性质%第一性原理
IVA族燐化物%電子結構%光學性質%第一性原理
IVA족린화물%전자결구%광학성질%제일성원리
采用基于密度泛函理论的第一性原理研究了赝立方结构的Si3P4、Ge3P4、Sn3P4的电子结构和光学性质.结果表明:三种材料均为间接带隙半导体材料,与同类的碳化物相比,具有相对大的静态介电常数.研究结果为这类材料的应用提供了理论依据.
採用基于密度汎函理論的第一性原理研究瞭贗立方結構的Si3P4、Ge3P4、Sn3P4的電子結構和光學性質.結果錶明:三種材料均為間接帶隙半導體材料,與同類的碳化物相比,具有相對大的靜態介電常數.研究結果為這類材料的應用提供瞭理論依據.
채용기우밀도범함이론적제일성원리연구료안립방결구적Si3P4、Ge3P4、Sn3P4적전자결구화광학성질.결과표명:삼충재료균위간접대극반도체재료,여동류적탄화물상비,구유상대대적정태개전상수.연구결과위저류재료적응용제공료이론의거.
