固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2006年
1期
34-37
,共4页
张有涛%夏冠群%高建峰%李拂晓
張有濤%夏冠群%高建峰%李拂曉
장유도%하관군%고건봉%리불효
数模转换器%超高速%砷化镓%金属半导体场效应晶体管
數模轉換器%超高速%砷化鎵%金屬半導體場效應晶體管
수모전환기%초고속%신화가%금속반도체장효응정체관
详述了单片超高速2Gbps GaAs 4bit数模转换器(DAC)的设计、制造及测试.在南京电子器件研究所标准φ76 mm GaAs工艺线采用1.5 μm全离子注入MESFET工艺完成流片.芯入输入输出阻抗实现在片50 Ω匹配.¨it DAC的微分非线性(DNL)为士1.22最低有效位(LSB),积分非线性(INL)为±0.45LSB,达到5.2 bit的转换精度.该单片电路提供差分互补输出,长周期输出特性无漂移.其最高转换速率可达2 Gbps,建立时间小于250ps,电路核心部分功耗为110 mW.
詳述瞭單片超高速2Gbps GaAs 4bit數模轉換器(DAC)的設計、製造及測試.在南京電子器件研究所標準φ76 mm GaAs工藝線採用1.5 μm全離子註入MESFET工藝完成流片.芯入輸入輸齣阻抗實現在片50 Ω匹配.¨it DAC的微分非線性(DNL)為士1.22最低有效位(LSB),積分非線性(INL)為±0.45LSB,達到5.2 bit的轉換精度.該單片電路提供差分互補輸齣,長週期輸齣特性無漂移.其最高轉換速率可達2 Gbps,建立時間小于250ps,電路覈心部分功耗為110 mW.
상술료단편초고속2Gbps GaAs 4bit수모전환기(DAC)적설계、제조급측시.재남경전자기건연구소표준φ76 mm GaAs공예선채용1.5 μm전리자주입MESFET공예완성류편.심입수입수출조항실현재편50 Ω필배.¨it DAC적미분비선성(DNL)위사1.22최저유효위(LSB),적분비선성(INL)위±0.45LSB,체도5.2 bit적전환정도.해단편전로제공차분호보수출,장주기수출특성무표이.기최고전환속솔가체2 Gbps,건립시간소우250ps,전로핵심부분공모위110 mW.
