功能材料
功能材料
공능재료
JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS
2004年
z1期
3228-3230,3234
,共4页
晶格失配%界面态密度%过渡层
晶格失配%界麵態密度%過渡層
정격실배%계면태밀도%과도층
从理论上计算出GaAs/Si异质结在Si的(211)面上界面态密度最小,故GaAs在Si(211)面上生长晶格失配度较小.同时,为了缓解晶格失配,我们采用生长一层GaAs多晶层或Te过渡层得到较好的结果.
從理論上計算齣GaAs/Si異質結在Si的(211)麵上界麵態密度最小,故GaAs在Si(211)麵上生長晶格失配度較小.同時,為瞭緩解晶格失配,我們採用生長一層GaAs多晶層或Te過渡層得到較好的結果.
종이론상계산출GaAs/Si이질결재Si적(211)면상계면태밀도최소,고GaAs재Si(211)면상생장정격실배도교소.동시,위료완해정격실배,아문채용생장일층GaAs다정층혹Te과도층득도교호적결과.
