硅基集成电路的发展和新一代栅极氧化物材料的研究现状
규기집성전로적발전화신일대책겁양화물재료적연구현상
Development of Si-substrate integrated circuits and new generation dielectric oxide materials for MOS gates
  • 万方数据
    物理 물리

    2003年 4期 228-234 ,共7页

    相文峰%颜雷%谈国太%郭海中%刘丽峰%吕惠宾%周岳亮%陈正豪

    상문봉%안뢰%담국태%곽해중%류려봉%려혜빈%주악량%진정호

    硅基集成电路%高介电常数氧化物材料%栅极介电层 硅基集成電路%高介電常數氧化物材料%柵極介電層
    규기집성전로%고개전상수양화물재료%책겁개전층
    随着科学技术的进步和集成电路市场日益扩大的需求,硅基集成电路的集成度越来越高,而集成度的提高是以其核心器件金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的特征尺寸逐渐减小为基础的.当栅极SiO2介电层的厚度减小到原子尺度大小时,由于量子效应的影响,SiO2将失去介电特性,因此必须寻找一种新的高介电常数(high-K)的氧化物材料来代替它.如今世界上许多国家都开展了替代SiO2的介电氧化物材料的研究工作.文章介绍了栅极介电层厚度减小带来的影响,栅极SiO2介电层的高K氧化物材料的要求和粗选,并对近期高介电常数氧化物材料的研究状况作了简要的介绍和评述.
    수착과학기술적진보화집성전로시장일익확대적수구,규기집성전로적집성도월래월고,이집성도적제고시이기핵심기건금속양화물반도체장효응정체관(MOSFET)적특정척촌축점감소위기출적.당책겁SiO2개전층적후도감소도원자척도대소시,유우양자효응적영향,SiO2장실거개전특성,인차필수심조일충신적고개전상수(high-K)적양화물재료래대체타.여금세계상허다국가도개전료체대SiO2적개전양화물재료적연구공작.문장개소료책겁개전층후도감소대래적영향,책겁SiO2개전층적고K양화물재료적요구화조선,병대근기고개전상수양화물재료적연구상황작료간요적개소화평술.
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