真空科学与技术学报
真空科學與技術學報
진공과학여기술학보
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY
2001年
4期
263-268
,共6页
宋伟杰%苏树江%王道元%曹立礼
宋偉傑%囌樹江%王道元%曹立禮
송위걸%소수강%왕도원%조립례
氧等离子体%ITO薄膜%变角X射线光电子谱
氧等離子體%ITO薄膜%變角X射線光電子譜
양등리자체%ITO박막%변각X사선광전자보
利用变角X射线光电子谱对氧等离子体处理前后氧化铟锡ITO薄膜的表面化学状态进行了表征.实验发现用溶剂清洗之后的ITO薄膜表面存在一层厚度大约为0.7 nm的非导电碳氢化合物污染层.氧等离子体处理方法可有效地消除C污染,而残存的少量污染C被部分氧化形成含羰基和羧基的化学物种.氧等离子体处理不仅提高了约5.0 nm深度范围内的ITO薄膜表层中O的总体含量,更重要的是提高了膜层中O2-离子氧种的含量,改变了膜层化学结构,使得ITO薄膜表面的导电性能降低,同时改善了整个表面层化学结构的均匀性.
利用變角X射線光電子譜對氧等離子體處理前後氧化銦錫ITO薄膜的錶麵化學狀態進行瞭錶徵.實驗髮現用溶劑清洗之後的ITO薄膜錶麵存在一層厚度大約為0.7 nm的非導電碳氫化閤物汙染層.氧等離子體處理方法可有效地消除C汙染,而殘存的少量汙染C被部分氧化形成含羰基和羧基的化學物種.氧等離子體處理不僅提高瞭約5.0 nm深度範圍內的ITO薄膜錶層中O的總體含量,更重要的是提高瞭膜層中O2-離子氧種的含量,改變瞭膜層化學結構,使得ITO薄膜錶麵的導電性能降低,同時改善瞭整箇錶麵層化學結構的均勻性.
이용변각X사선광전자보대양등리자체처리전후양화인석ITO박막적표면화학상태진행료표정.실험발현용용제청세지후적ITO박막표면존재일층후도대약위0.7 nm적비도전탄경화합물오염층.양등리자체처리방법가유효지소제C오염,이잔존적소량오염C피부분양화형성함탄기화최기적화학물충.양등리자체처리불부제고료약5.0 nm심도범위내적ITO박막표층중O적총체함량,경중요적시제고료막층중O2-리자양충적함량,개변료막층화학결구,사득ITO박막표면적도전성능강저,동시개선료정개표면층화학결구적균균성.
