西安电子科技大学学报(自然科学版)
西安電子科技大學學報(自然科學版)
서안전자과기대학학보(자연과학판)
JOURNAL OF XIDIAN UNIVERSITY
2001年
5期
630-633
,共4页
SiC%Frenkel-Pool效应%杂质离化
SiC%Frenkel-Pool效應%雜質離化
SiC%Frenkel-Pool효응%잡질리화
在研究SiC MOS表面空间电荷区杂质不完全离化的过程中引入了Frenkel-Pool效应,并建立了在电场作用下SiC杂质离化的新模型.基于对一维Poisson方程的求解,分析了场致离化对SiC MOS结构特性的影响,结果表明,电场的作用会提高SiC中杂质离化浓度,使析冻效应减弱,并最终导致SiC MOS器件特性发生变化.
在研究SiC MOS錶麵空間電荷區雜質不完全離化的過程中引入瞭Frenkel-Pool效應,併建立瞭在電場作用下SiC雜質離化的新模型.基于對一維Poisson方程的求解,分析瞭場緻離化對SiC MOS結構特性的影響,結果錶明,電場的作用會提高SiC中雜質離化濃度,使析凍效應減弱,併最終導緻SiC MOS器件特性髮生變化.
재연구SiC MOS표면공간전하구잡질불완전리화적과정중인입료Frenkel-Pool효응,병건립료재전장작용하SiC잡질리화적신모형.기우대일유Poisson방정적구해,분석료장치리화대SiC MOS결구특성적영향,결과표명,전장적작용회제고SiC중잡질리화농도,사석동효응감약,병최종도치SiC MOS기건특성발생변화.
