半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2000年
7期
697-704
,共8页
张利春%叶红飞%金雪林%高玉芝%宁宝俊
張利春%葉紅飛%金雪林%高玉芝%寧寶俊
장리춘%협홍비%금설림%고옥지%저보준
RCA晶体管%多晶硅发射极%掺砷
RCA晶體管%多晶硅髮射極%摻砷
RCA정체관%다정규발사겁%참신
研究了掺砷多晶硅发射极RCA晶体管的工艺实验技术.以先进多晶硅发射极器件制备工艺为基础,在淀积发射极多晶硅之前,用RCA氧化的方法制备了一层超薄氧化层,并采用氮气快速热退火的方法处理RCA氧化层,制备出可用于低温超高速双极集成电路的掺砷多晶硅发射极RCA晶体管.晶体管的电流增益在-55-+125℃温度范围内的变化率小于15%,而且速度快,发射区尺寸为4×10μm2的RCA晶体管其特征频率可达3.3GHz.
研究瞭摻砷多晶硅髮射極RCA晶體管的工藝實驗技術.以先進多晶硅髮射極器件製備工藝為基礎,在澱積髮射極多晶硅之前,用RCA氧化的方法製備瞭一層超薄氧化層,併採用氮氣快速熱退火的方法處理RCA氧化層,製備齣可用于低溫超高速雙極集成電路的摻砷多晶硅髮射極RCA晶體管.晶體管的電流增益在-55-+125℃溫度範圍內的變化率小于15%,而且速度快,髮射區呎吋為4×10μm2的RCA晶體管其特徵頻率可達3.3GHz.
연구료참신다정규발사겁RCA정체관적공예실험기술.이선진다정규발사겁기건제비공예위기출,재정적발사겁다정규지전,용RCA양화적방법제비료일층초박양화층,병채용담기쾌속열퇴화적방법처리RCA양화층,제비출가용우저온초고속쌍겁집성전로적참신다정규발사겁RCA정체관.정체관적전류증익재-55-+125℃온도범위내적변화솔소우15%,이차속도쾌,발사구척촌위4×10μm2적RCA정체관기특정빈솔가체3.3GHz.
